杨兆柱
,
薛成山
,
庄惠照
,
王公堂
,
秦丽霞
,
李红
,
陈金华
,
黄英龙
,
张冬冬
功能材料
为了制备高质量的GaN纳米结构,采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/V薄膜,然后在流动的氨气中进行氨化反应,成功制备出GaN纳米线.采用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对样品进行分析.研究结果表明,采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN纳米线,且900℃时制备的纳米线质量最好,直径在60nm左右,长度达到十几微米.
关键词:
磁控溅射
,
GaN
,
V
,
纳米线
杨兆柱
,
薛成山
,
庄慧照
,
王公堂
,
陈金华
,
李红
,
秦丽霞
,
王邹平
稀有金属材料与工程
氨化硅基钒应变层氧化镓膜制备了大量氮化镓纳米线,X射线衍射、扫描电子显微镜和透射电子显微镜观察发现,纳米线具有十分光滑且干净的表面,其直径为20～60 nm左右,长度达到十几微米.高分辨透射电子显微镜和选区电子衍射分析结果表明,制备的氮化稼纳米线为六方纤锌矿结构.光致发光谱显示制备的氮化稼纳米线有良好的发光特性.另外,简单讨论了氮化稼纳米线的生长机制.
关键词:
磁控溅射
,
氮化镓
,
纳米线
,
光致发光
赵懿琨
,
连洁
,
张飒飒
,
王公堂
,
宫文栎
,
于元勋
,
卜刚
材料导报
ZnO是一种新型的宽带隙半导体光电材料,可用于制作高性能的紫外探测器,是未来半导体紫外探测器的发展重点.介绍了ZnO基紫外探测器常见的器件结构、探测材料的基本特性和主要制备方法,以及器件近期的研究进展,并扼要分析了其今后的发展方向.
关键词:
ZnO薄膜
,
紫外探测器
,
宽带隙半导体
刘秀喜
,
王公堂
稀有金属材料与工程
依据Ga在Si中的扩散行为、开管扩Ga系统的特征及扩Ga样品的XPS、EPMA和R<,s>的测试结果分析,提出了Ga在裸Si系的扩散模型,并从机理上分析了Ga的掺杂效应.结果表明:Ga在裸Si系下扩散,易产生合金点、腐蚀坑和"白雾"等缺陷,并造成R<,s>值不均匀.扩Ga产生的缺陷与硅片的导电类型、电阻率大小、晶向和表面光洁度无关.
关键词:
Ga
,
裸Si系
,
扩散模型
,
掺杂效应
马跃进
,
连洁
,
于晓红
,
王公堂
材料科学与工程学报
掺杂稀土元素的激光玻璃由于本身的优点广泛应用于核聚变、高功率激光放大器和光纤激光器等领域。利用椭偏仪和TU-1901紫外可见分光光度计分别对掺钕硼酸锂的折射率、透射和反射等光学性质进行了研究,进而得到掺钕硼酸锂玻璃的折射率、透射光谱、反射光谱、吸收光谱,并对其进行了分析。发现材料在632.8nm波长处折射率为1.684,消光系数为0.056;吸收光谱主要有4个吸收峰,在可见光范围内吸收峰与Nd∶YAG的主要吸收峰大致相同,吸收截面分别为1.45×10-20cm2、1.98×10-20cm2、1.92×10-20cm2、1.94×10-20cm2。
关键词:
掺钕硼酸锂玻璃
,
椭圆偏振光谱法
,
折射率
,
吸收光谱
