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挠性印刷电路基板用三层复合聚酰亚胺胶粘膜的制备及性能研究

王劲 , 唐屹 , 曾晓丹 , 王剑 , 赵炜 , 李黎 , 谢美丽 , 顾宜

绝缘材料 doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2005.01.002

采用以脂肪族二胺、芳香杂环二胺(DAMI)和芳香四羧酸二酐为原料,以N-甲基吡咯烷酮(NMP)为溶剂,合成了两种聚酰胺酸溶液,通过在玻璃板上逐层涂覆,热酰亚胺化成薄膜,制备了表面为热塑性聚酰亚胺的三层复合聚酰亚胺胶粘膜,再与铜箔热压复合制备了双面覆铜柔性印刷电路基板.三层复合聚酰亚胺胶粘膜的玻璃化转变温度为133℃,结晶熔融温度为222℃,与铜箔的平均剥离强度达到833g/cm.

关键词: 挠性印刷电路基板 , 聚酰亚胺薄膜 , 粘接剂

聚合物基磁致伸缩复合材料的研究进展

王劲 , 齐暑华 , 邱华 , 李春华

材料导报

聚合物基磁致伸缩复合材料是一种新型的功能材料.综述了近年来有关聚合物基磁致伸缩复合材料的研究情况,介绍了磁致伸缩机理、传统的磁致伸缩材料的特点,以及聚合物基磁致伸缩复合材料的产生,总结了聚合物基磁致伸缩复合材料的性能影响因素、制备工艺和应用情况,提出了今后聚合物基磁致伸缩复合材料的研究方向.

关键词: 磁致伸缩 , 功能复合材料 , 聚合物基体

氧化/还原氧化石墨烯基纳米复合材料的研究

王劲 , 樊勋 , 董叶青 , 邱华 , 齐暑华

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.03.023

综述了以氧化/还原氧化石墨烯为基体的纳米复合材料的最新研究成果和应用进展.对石墨烯的氧化和脱氧化机理进行了介绍;着重阐述了石墨烯与金属、金属化合物和导电聚合物的纳米复合,包括纳米复合材料的制备方法、主要性能及应用前景,并对类似纳米复合材料的性能进行了归纳;最后,结合我国目前的实际情况对以石墨烯为基体的纳米复合材料发展中所面临的机遇和挑战进行了总结和展望.

关键词: 石墨烯 , 金属 , 金属氧化物 , 导电聚合物 , 纳米复合材料

颗粒有序堆积多孔介质对流换热实验研究

杨剑 , 王劲 , 步珊珊 , 曾敏 , 王秋旺

工程热物理学报

本文采用"瞬态单吹反问题研究方法"对颗粒有序堆积多孔介质内的强制对流换热进行了实验研究。详细研究了颗粒堆积方式变化对多孔介质内对流换热的影响,并对均匀与非均匀颗粒堆积多孔介质内的对流换热特性进行了对比分析。研究表明:通过对颗粒进行合理有序堆积,可以使相应多孔介质内的压降显著降低,其综合换热效率明显提高;通过拟合获得了颗粒有序堆积多孔介质内的宏观流动换热实验关联式,其形式与传统经验公式(Ergun公式和Wakao公式)一致,但部分模型参数值远低于传统经验公式。

关键词: 颗粒有序堆积 , 多孔介质 , 对流换热 , 实验研究

镀Ag玻璃微珠-膨胀石墨/聚氯乙烯导电复合材料的制备与表征

张梦玉 , 王劲 , 陈星亮 , 薛融 , 齐暑华

复合材料学报 doi:10.13801/j.cnki.fhclxb.20150803.002

采用一种无Pd无 SnCl2化学镀 Ag新工艺对空心玻璃微珠(HGB)表面进行化学镀 Ag,然后通过熔融共混方法制备镀 Ag玻璃微珠(Ag-GB)-膨胀石墨(EG)/聚氯乙烯(PVC)复合材料。借助 SEM、EDS和 XRD测试手段对Ag-GB镀层的表面形貌与结构进行了表征,研究了Ag-GB和EG作为复合填料对Ag-GB-EG/PVC复合材料导电和力学性能的影响。结果表明:预处理的 H GB的表面更易于 Ag 层的沉积,镀覆的镀层更为均匀、致密;Ag-GB表面的 Ag层质量分数为81.15%;固定 Ag-GB 的质量分数为15%,随着 EG 质量分数的增加,Ag-GB (15%)-EG/PVC复合材料的体积电阻率呈非线性降低趋势,当 EG 的质量分数达到逾渗阈值12%时,Ag-GB (15%)-EG/PVC复合材料的体积电阻率为2.18×103Ω·cm,满足抗静电 PVC材料的应用要求。添加质量分数为12%的 EG,Ag-GB(15%)-EG/PVC复合材料的体积电阻率与单独填充质量分数为50%的 Ag-GB时 Ag-GB/PVC复合材料的体积电阻率相当,此时其拉伸强度达到最大值。

关键词: 聚氯乙烯 , 镀 Ag玻璃微珠 , 膨胀石墨 , 导电 , 复合材料

共掺Tm3+离子对CaAlSiN3∶Eu2+红色荧光粉发光性能的影响

张浩然 , 王劲 , 雷炳富 , 刘应亮

应用化学 doi:10.11944/j.issn.1000-0518.2016.11.160326

通过高温固相法,合成了Eu2+单掺和Eu2+、Tm3+共掺CaAlSiN3荧光粉。结合荧光光谱、余辉发射光谱和余辉衰减曲线及热释发光等测试手段对其进行了表征分析。结果表明,CaAlSiN3∶Eu2+具有主峰位于630 nm的明显的红色长余辉发光;共掺杂Tm3+离子的引入,产生了654和800 nm的荧光和余辉,同时,Tm3+的共掺,使CaAlSiN3∶0.1%Eu2+,Tm3+样品位于89.0℃热释光峰位消失,表明 Tm3+共掺杂改变了CaAlSiN3∶Eu2+荧光粉中的陷阱能级及其分布,从而减弱了CaAlSiN3∶Eu2+的630 nm红色可见光部分余辉发光性能。

关键词: CaAlSiN3∶Eu2+ , 稀土共掺杂 , 长余辉发光 , 陷阱

抗蚀剂的研究进展

冯宗财 , 王跃川 , 王劲

材料导报

综述了紫外光曝光的抗蚀剂、电子射线抗蚀剂、X射线抗蚀剂、电沉积抗蚀剂的组成、成像原理和分辨率,并对几种高性能抗蚀剂的原理及用于抗蚀剂的新材料做了介绍.

关键词: 抗蚀剂 , 辐射固化 , 图形加工 , 印制电路

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