王古平
材料导报
过渡金属(TM)掺杂获得铁磁性ZnO基稀磁半导体(DMSs)的报道很多,但其铁磁性是否有微量磁性TM原子团簇或第二相的贡献存在争议.从磁性测量和磁性TM原子团聚及第二相的排除两方面综述了TM掺杂ZnO DMSs本征铁磁性检证的常用方法,着重分析了元素特征分析技术在过渡金属掺杂ZnO中的应用.
关键词:
ZnO
,
稀磁半导体
,
本征铁磁性
,
分析技术
,
TM掺杂
马李
,
何录菊
,
邵先亦
,
王古平
,
张梦贤
材料工程
doi:10.11868/j.issn.1001-4381.2016.01.014
利用大功率电子束物理气相沉积设备,采用单靶蒸镀方法制备厚度为0.3mm的自由态TiAl合金板,并对制备态样品进行不同温度(650~950℃)的真空退火处理.借助X射线衍射仪、扫描电子显微镜及透射电子显微镜分析退火处理对相组成及微观组织结构的影响.结果表明:Ti,Al元素饱和蒸气压的差异导致富Ti成分...
关键词:
电子束物理气相沉积
,
TiAl合金
,
饱和蒸气压
,
微观形貌
,
结构稳定性
王古平
,
李志刚
,
陈卫平
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2011.04.009
利用溶胶-凝胶法制备了Mn掺杂和Mn,Li共掺ZnO室温铁磁性半导体,分别采用X射线衍射(XRD),X光电子能谱(XPS),紫外-可见分光光度计(UV-VIS)和振动样品磁强计(VSM)研究了添加Li微鼍掺杂物对Mn掺杂ZnO的晶体结构、电子价态、能带宽度和铁磁特性的影响.结果表明:添加Li微量掺杂...
关键词:
ZnO
,
添加Li掺杂物
,
间隙电子掺杂
,
间隙缺陷
,
铁磁性能