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ZnS晶体的化学气相沉积生长

杨曜源 , 李卫 , 张力强 , 蔡以超 , 王向阳 , 肖红涛 , 田鸿昌 , 东艳萍 , 方珍意 , 郝永亮

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.01.020

本文报道了用化学气相沉积(CVD)法生长ZnS透明多晶体的实验结果,对生长的晶体的物理化学性能进行了测试,讨论了化学气相沉积工艺中影响ZnS晶体质量的因素.结果表明:选用固体硫作原料,用化学气相沉积方法,可以沉积出透明ZnS多晶体;它的透过性能极其优异,在6.2μm处无吸收峰,在中、长波红外透过率可达70%以上.

关键词: 化学气相沉积法 , 硫化锌 , 红外材料

工艺参数对CVD ZnS沉积速率的影响

杨曜源 , 蔡以超 , 东艳苹 , 张力强 , 王向阳 , 肖红涛 , 田鸿昌 , 李卫 , 郝永亮 , 方珍意

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.026

本文报道了CVD法制备ZnS晶体的制备工艺,系统地研究了气体流量、工作气压、基板温度等主要工艺参数对沉积速率的影响规律.实验表明,随着H2S(s)/Zn摩尔流量比的增加,沉积速率逐渐增大;基板温度升高,沉积速率加快;工作气压增大,沉积速率变化不大.在本实验研究的条件下认为,采用合适的H2S(s)/Zn摩尔流量比和沉积温度,在较低的工作气压下生长晶体,能保证较稳定的沉积速率,生长出高质量的晶体.

关键词: 红外材料 , ZnS , CVD , 沉积速率

低压化学气相沉积法制备ZnSe多晶及其性能研究

周育先 , 方珍意 , 潘伟 , 杨曜源 , 张力强 , 王向阳 , 肖红涛

稀有金属材料与工程

以单质Zn,Se和H2为原料,采用低压化学气相沉积方法在温度为630℃～750℃,压力为300Pa～1000 Pa条件下制备出了性能优异的ZnSe多晶材料.性能测试表明,制备出的CVD ZnSe多晶材料在0.55 μm～22 μm,及8μm～14μm波段的平均透过率超过70%(1 mm厚),在3.39μm处的应力双折射为54 nm/cm.其光学透过性能与美国采用Zn和H2Se气体为原料制备出的CVD ZnSe多晶非常接近.

关键词: ZnSe , 红外 , 化学气相沉积 , CVD , 透过

CVT法生长GaP多晶

王向阳 , 何莉 , 田鸿昌 , 东艳萍 , 蔡以超

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.037

阐述了CVT(化学气相输运)法生长GaP的基本反应和输运速度,采用CVT法生长出了GaP多晶.设计了石英管的结构以制造出一个局部的低温区域,防止了GaP在管壁的生长.生长出的GaP多晶相对密度为98%,红外透过率达到30%,努普硬度为611kg/mm2.散射颗粒测试表明主要的光散射颗粒为多晶中存在的孔隙.

关键词: CVT(化学气相输运) , GaP多晶 , 红外窗口材料

CVD法生长ZnSe的工艺分析

王向阳 , 方珍意 , 蔡以超 , 张力强 , 肖红涛

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.025

采用单质Se为原料(Zn-Se-H2-Ar体系)来生长CVD ZnSe,初步分析了这种工艺的机理,并详细分析了各种工艺参数对生长ZnSe的影响.这些工艺参数包括沉积腔的温度和压力,Zn坩埚和Se坩埚的温度,各路载流气体的流量.对这些工艺参数进行调整和精确控制,并控制好Zn蒸气和Se蒸气气嘴处的ZnSe生长形态,生长出了质量良好的ZnSe多晶体,透过率超过70%.

关键词: 化学气相沉积 , 硒化锌 , 工艺分析

大尺寸NaI(Tl)晶体的热锻及封装

王向阳 , 李薇 , 李瑞龙 , 池伟 , 郑祖斌

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2001.03.016

本文在讨论了NaI(Tl)晶体热锻及封装机理和工艺的基础上,对大尺寸NaI(Tl)晶体的热锻及封装的工艺作了详细地研究,并成功地制备了各项性能指标优良的大尺寸NaI(Tl)晶体闪烁探测器.

关键词: NaI(Tl)晶体 , 热锻 , 封装

以S、Se为原料的CVD ZnS、CVD ZnSe的化学反应分析

王向阳 , 钱(纁) , 蔡以超 , 何莉 , 肖红涛

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.028

本文详细分析了用单质硫或单质硒为原料,在Zn-S-H2-Ar体系或Zn-Se-H2-Ar体系中化学气相沉积生长 ZnS和ZnSe晶体所发生的化学反应,认为在这两种化学气相沉积过程中所发生的化学反应是以锌蒸汽与硫或硒蒸汽反应来实现的.计算出了上述反应的△H、△S和△G这些热力学函数,并将该△G与采用H2S气体(Zn-H2S-Ar体系)和H2Se气体(Zn-H2Se-Ar体系)为原料的CVD ZnS和ZnSe做了对比.实验结果表明,以单质Se为原料生长的CVD ZnSe比以H2Se为原料的CVD ZnSe的努普硬度有显著的提高.

关键词: CVD , ZnS , ZnSe , 化学反应

首秦宽厚板生产线高压水除鳞系统设计及改造

孟祥龙 , 侯宏宙 , 李林 , 王帆 , 王向阳

上海金属

以首秦4 300 mm宽厚板生产线为例,介绍高压水除磷系统的设计方案,对供水能力进行计算,同时针对在实际生产过程中存在的问题,提出可行的改造方案,给出改造后除磷泵设备的工艺参数及各用水点的压力和流量,最后进行提高系统压力后供水能力核算,验证改造方案的可行性.结果表明,在不改变系统电机容量的前提下,通过改进喷嘴结构和增加除鳞泵的级数可以提高系统的压力,并进一步优化除磷效果.

关键词: 轧钢 , 宽厚板 , 高压水 , 除磷