沈文娟
,
王俊
,
王启元
,
段垚
,
曾一平
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.01.015
采用二乙基锌(DEZn)和氧化亚氮(N2O)作为锌源和氧源,在低温300℃,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法在Si(100)衬底上制备了ZnO薄膜.通过优化氧锌比,ZnO薄膜为高度单一c轴方向生长.由光致发光谱和反射谱得知,ZnO薄膜的紫外发光峰位于388nm,具有很好的光透性,且其PL谱半峰宽为80meV.
关键词:
金属有机化学气相沉积
,
光致发光
,
ZnO
王启元
,
谭利文
,
王俊
,
郁元桓
,
林兰英
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.03.013
异质外延法是目前制备新型 SOI材料的技术途径之一.采用低压化学气相沉积技术(LPCVD)在硅衬底上先外延γ-Al2O3绝缘单晶薄膜,制备出硅衬底上外延氧化物外延结构γ-Al2O3/Si(EOS),然后采用类似 SOS薄膜生长的常压 CVD(APCVD)方法在 EOS上外延硅单晶薄膜,形成新型硅基双异质 SOI材料 Si/γ-Al2O3/Si.利用反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、俄歇电子能谱(AES)及 MOS电学测量等技术表征分析了 Si(100)/γ-Al2O3(100)/Si(100)SOI异质结构的晶体结构、组分和电学性能.测试结果表明,已成功实现了高质量的新型双异质外延 SOI结构材料Si(100)/γ-Al2O3(100)/Si(100),γ-Al2O3与 Si外延薄膜均为单晶,γ-Al2O3薄膜具有良好绝缘性能,SOI结构界面清晰陡峭,该 SOI材料可应用于 CMOS电路的研制.
关键词:
硅
,
Al2O3
,
SOI
,
外延生长
