苏少坚
,
汪巍
,
胡炜玄
,
张广泽
,
薛春来
,
左玉华
,
成步文
,
王启明
材料导报
Ge1-xSnx是一种新型的Ⅳ族材料,具有广阔的应用前景,但是其生长存在许多困难,尤其是Sn易于分凝.采用离子轰击和快速变温等方法可以有效地抑制Sn的分凝,但是所生长的材料的热稳定性都比较差.采用化学气相沉积法获得了较高质量的Ge1-xSnx合金,但是所用的Sn气体源难以获得.综述了Ge1-xSnx...
关键词:
Ge1-xSnx合金
,
外延
,
分凝
成步文
,
薛春来
,
罗丽萍
,
韩根全
,
曾玉刚
,
薛海韵
,
王启明
材料科学与工程学报
采用超低温Buffer层技术在Si衬底上生长出了质量优良的厚Ge材料,材料的穿透位错密度为1×105 cm-2.原子力显微镜测试表明表面均方根粗糙度为0.33nm,卢瑟福背散射谱表明Ge的沟道产额低达3.9%,透射电镜分析则表明应变的弛豫主要是通过在Si与Ge的界面处形成失配位错来实现的.
关键词:
硅基
,
Ge
,
外延
赵雷
,
左玉华
,
李传波
,
成步文
,
罗丽萍
,
余金中
,
王启明
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.01.002
利用UHV/CVD系统,在一个相对较低的温度500℃下,研究了Si1-xGex层中的Ge含量与生长条件之间的关系,此时的Si1-xGex层处于一种亚稳的状态.并直接在Si衬底上生长制备了10个周期的3.0 nm-Si0.5Ge0.5/3.4 nm-Si多量子阱.拉曼谱、高分辨显微电镜和光荧光谱对其结...
关键词:
UHV/CVD
,
拉曼测量
,
光荧光
,
Si0.5Ge0.5
廖凌宏
,
周志文
,
李成
,
陈松岩
,
赖虹凯
,
余金中
,
王启明
材料科学与工程学报
由于Si/SiGe异质结构的带阶差主要发生在价带,为实现高效率的发光,本文从理论上设计了在硅基Si1-x Gex虚衬底上外延应变补偿的Si/S1-y Ge,(y>x)量子阱的能带结构,将量子阱对电子的限制势垒提高到100meV以上.在实验上,采用300℃生长的Ge量子点插入层,制备出薄的SiG...
关键词:
低维无机非金属材料
,
量子阱
,
光致发光谱
,
弛豫缓冲层
余金中
,
严清峰
,
夏金松
,
王小龙
,
王启明
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.01.001
SOI (Silicon- on- Insulator) 光电子集成已成为十分引人注目的研究课题,其工艺与 CMOS 工艺完全兼容,可以实现低成本的 SOI基整片集成光电子回路.本文综述了近几年来 SOI集成光 电子器件的发展以及一些最新的研究进展 , 着重分析几种最新型光无源器件的工作原理和结构,...
关键词:
SOI
,
光电子集成电路
,
光波导
,
SOI光波导开关
,
阵列波导光栅
,
SOI基光探测器
李代宗
,
于卓
,
雷震霖
,
成步文
,
余金中
,
王启明
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2000.02.020
利用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)系统在650℃生长出表面光亮的GeSi单晶在1200L/min分子泵与前级机械泵间串接450L/min分子泵,改善了生长环境串接分子泵后生长的样品的X射线双晶衍射分析表明,外延层衍射峰半宽仅为198arcsec,且出现了Pendellosung干涉条纹,说明...
关键词:
超高真空化学气相淀积
,
GeSi
,
X射线双晶衍射
郭亨群
,
杨琳琳
,
王启明
功能材料
采用射频磁控技术和退火处理制备掺Al的纳米Si-SiO2复合薄膜.通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)表征了薄膜的结构,组分和成键情况.掺Al在SiO2中造成氧空位,使薄膜光致发光强度增强,并出现新的发光峰.退火温度对掺Al薄膜的光致发光的峰位和峰强有...
关键词:
Al-Si-SiO2薄膜
,
磁控溅射
,
光致发光
