刘丹丹
,
王善禹
,
唐新峰
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00201
采用超声化学和后续还原热处理工艺合成了单相In4Se3化合物粉体, 并结合放电等离子烧结技术(SPS)制备了致密的块体材料. 对所得的块体材料的微结构和热电传输性能进行了系统研究. 结果表明, 块体样品的晶粒细小、排列紧密并存在显著的择优取向, 同时样品中存在大量精细的层状结构, 这使得块体样品的电热传输性能也表现出明显的各向异性. 由于具有较高的Seebeck系数和较低的热导率, 沿着SPS压力方向上样品表现出较好的热电性能, 其最大ZT值在700 K可达到0.56, 这与其它物理技术制备的In4Se3多晶材料的性能相当.
关键词:
In4Se3
,
sonochemicial method
,
anisotropy
,
thermoelectric properties
王善禹
,
谢文杰
,
唐新峰
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00609
以商用区熔(ZM)n型Bi2Te3基材料为原料, 采用简单研磨结合放电等离子烧结技术(ZM+SPS)和熔体旋甩(MS)结合放电等离子烧结技术(MS+SPS)制备了n型Bi2Te3基块体热电材料. 对三种不同工艺制备出样品的微结构、热电性能和力学性能进行了研究. FESEM微结构表征结果表明: 区熔样品的晶粒粗大, 有较强的取向性; 经SPS烧结后, 晶粒细化, 取向性大为降低; 而区熔样品经MS+SPS后, 晶粒得到进一步细化, 且没有明显的取向性. 对三组样品进行的热电性能和抗压强度测试, 结果表明: 区熔原料最大ZT值为0.72(430K), 抗压强度仅为40MPa; 经SPS后, 样品的最大ZT值为0.68(440K), 抗压强度为110MPa, 相比区熔样品提高了175%; MS+SPS样品的最大ZT值为0.96(320K), 其室温ZT值相比区熔样品提高了64%, 抗压强度相比区熔样品提高了400%, 达到200MPa.
关键词:
碲化铋
,
preparation technique
,
thermoelectric property
,
pressive strength
王善禹
,
谢文杰
,
唐新峰
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00609
以商用区熔(ZM)n型Bi2Te3基材料为原料,采用简单研磨结合放电等离子烧结技术(ZM+SPS)和熔体旋甩(MS)结合放电等离子烧结技术(MS+SPS)制备了n型Bi2Te3基块体热电材料.对三种不同工艺制备出样品的微结构、热电性能和力学性能进行了研究.FESEM微结构表征结果表明:区熔样品的晶粒粗大,有较强的取向性;经SPS烧结后,晶粒细化,取向性大为降低;而区熔样品经MS+SPS后,晶粒得到进一步细化,且没有明显的取向性.对三组样品进行的热电性能和抗压强度测试,结果表明:区熔原料最大ZT值为0.72(430K),抗压强度仅为40MPa;经SPS后,样品的最大ZT值为0.68(440K),抗压强度为110MPa,相比区熔样品提高了175%; MS+SPS样品的最大ZT值为0.96(320K),其室温ZT值相比区熔样品提高了64%,抗压强度相比区熔样品提高了400%,达到200MPa.
关键词:
碲化铋
,
制备工艺
,
热电性能
,
抗压强度
刘丹丹
,
王善禹
,
唐新峰
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00201
采用超声化学和后续还原热处理工艺合成了单相In4Se3化合物粉体,并结合放电等离子烧结技术(SPS)制备了致密的块体材料.对所得的块体材料的微结构和热电传输性能进行了系统研究.结果表明,块体样品的晶粒细小、排列紧密并存在显著的择优取向,同时样品中存在大量精细的层状结构,这使得块体样品的电热传输性能也表现出明显的各向异性.由于具有较高的Seebeck系数和较低的热导率,沿着SPS压力方向上样品表现出较好的热电性能,其最大ZT值在700 K可达到0.56,这与其它物理技术制备的In4Se3多晶材料的性能相当.
关键词:
In4Se3
,
超声化学法
,
各向异性
,
热电性能
