周健
,
夏冠群
,
刘文超
,
李冰寒
,
王嘉宽
,
郝幼申
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.02.020
对Si衬底上Ta-N/Cu薄膜进行了电学和热学分析,结果发现5000C以下薄膜电阻几乎不变,600～6900C下的退火引起的电阻率降低是由于Ta-N电阻的热氧化和Cu熔化扩散引起的,而6900C以上的电阻率增加是由于Cu引线传输能力减弱所致.为0.18μm以下的超大规模集成电路中的Cu引线和电阻薄膜的制作提供了有益的借鉴.
关键词:
退火
,
热扩散
,
薄膜电阻
