杜记龙
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江美福
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张树宇
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王培君
材料科学与工程学报
采用射频磁控共溅射的方法制备出ZnO∶Al薄膜,以NO和O2为源气体(O2/O2+NO=75%)、等离子体浸没离子注入(PⅢ)方法在不同的工艺条件下得到了不同N+注入剂量的ZnO∶Al∶N薄膜,并在N2氛围下对样品进行了850℃退火处理.通过XRD图谱、霍尔效应(Hall)测试结果、光致发光光谱(PL)、紫外-可见光透射光谱等对样品的结构和性能进行了分析,着重研究了N+注入剂量对ZnO∶Al∶N薄膜性质的影响.结果表明,注入剂量控制在1015cm-2量级时,N可以通过占据O空位和替换O原子形成No并与Al和Zn成键,对于ZnO薄膜实现p型反转是很关键的.实现p型反转的ZnO∶Al∶N薄膜载流子浓度可达2.16×1016cm-3,电阻率为8.90Ω·cm,霍耳迁移率为32.4cm2/V·s.
关键词:
等离子体浸没离子注入
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磁控溅射
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共掺杂
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p-ZnO
