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退火温度对纳米PtSi/Si异质结形成的影响

殷景华 , 蔡伟 , 王培林 , 郑玉峰 , 王中 , 李美成 , 赵连城

功能材料

采用XPS、XRD、AFM测试技术,研究退火温度对PtSi/Si异质结薄膜硅化物形成、分布及硅化物薄膜表面形貌的影响.测试结果表明,低温退火,薄膜中相分布顺序为Pt→Pt2Si→PtSi→Si;高温退火,相分布顺序为Pt→Pt2Si+PtSi→PtSi→Si或Pt+PtzSi+PtSi→PtSi→S...

关键词: 退火温度 , PrSi/Si异质结 , 硅化物 , 薄膜 , 表面形貌