杨涛
,
焦奎
,
王增健
应用化学
doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2005.04.002
采用薄层循环伏安法、薄层恒电位电解吸收光谱法、薄层单电位阶跃计时吸收法、薄层双电位阶跃计时吸收法等技术对3,3′,5,5′-四甲基联苯胺(TMB)在B-R缓冲溶液中于铂网栅光透电极上的电氧化性质进行了研究. TMB在pH=2.0至pH＜4.0的B-R缓冲溶液中为1步2电子电氧化过程,生成产物醌二亚胺,循环伏安图上表现为1对良好的氧化还原峰;在pH=4.0至pH＜7.0时为分步的2个单电子氧化过程,TMB首先被氧化为中间产物TMB自由基,然后自由基再被氧化为醌二亚胺,在循环伏安图上出现2对氧化还原峰;在pH＞7.0时为1步电氧化过程,产物为偶氮化合物,循环伏安图上为1对良好的氧化还原峰. 测得了TMB的克式量电位E0′,电子转移数n.
关键词:
薄层光谱电化学
,
四甲基联苯胺
,
电氧化
,
铂网栅光透电极
