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金属诱导法低温多晶硅薄膜的制备与研究

刘传珍 , 杨柏梁 , 张玉 , 李牧菊 , 吴渊 , 廖燕平 , 王大海 , 邱法斌 , 李轶华 , 黄锡珉

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2000.04.002

利用金属诱导晶化（Metal Induced Crystallization， MIC）的方法研究了a-Si/Ni的低温晶化， MIC的晶化温度降低到440℃。采用XRD、 Raman、 SEM和XPS等手段研究了Ni-MIC多晶硅薄膜的特性，分析了薄膜结构和组成，讨论了晶化过程的机理。

关键词: 金属诱导晶化 , 多晶硅薄膜 , 退火

多晶硅薄膜晶体管工艺中的反应性离子刻蚀

王大海 , 李轶华 , 孙艳 , 吴渊 , 陈国军 , 王国柱 , 荆海 , 万春明

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2002.01.011

对多晶硅薄膜晶体管器件工艺中的反应性离子刻蚀技术进行研究,给出了Ta、 p-Si等多晶硅薄膜晶体管器件中常见薄膜的刻蚀速率,通过工艺参数的优化,使薄膜间的选择比在2～20可选择;并通过气体掺杂,实现了SiNx对p-Si的选择比从-1到2的反转.

关键词: 多晶硅薄膜晶体管 , 反应性离子刻蚀 , 刻蚀速率 , 选择比

TFT阵列金属电极的制备与性能

王大海 , 杨柏梁 , 杨柏梁 , 吴渊 , 吴渊 , 刘传珍

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2000.04.004

利用磁控溅射的方法制备了Cr、 Ta、 Al、 Mo、 MoW等金属薄膜，采用XRD、 SEM、四探针法等分析手段分析了薄膜的性能。讨论了衬底温度、反应气压、溅射功率、气体流量等因素对薄膜质量的影响，得到了制作TFT器件中优质金属电极的工艺参数。

关键词: 磁控溅射 , TFT器件 , 溅射速率 , 金属薄膜

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