智顺华
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曹林洪
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王超
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李海燕
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王宁会
人工晶体学报
以硝酸镁、碳酸氢氨为原料,采用均相沉淀法制备碱式碳酸镁,经过不同温度煅烧制得MgO粉体,将粉体压制成型后,经不同温度下烧结,制备MgO陶瓷.TG-DTA、XRD和SEM分析结果表明:碱式碳酸镁的最佳煅烧温度为750 ℃左右,所制得的MgO粉体的晶粒大小为22.25 nm.MgO陶瓷最佳烧结温度为1500 ℃,所得到的陶瓷结构致密、气孔较少、收缩率较高、透光性最好.随着烧结温度的升高,MgO陶瓷中的晶粒有沿(200) 晶面择优生长的趋势.
关键词:
MgO陶瓷
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烧结温度
,
均相沉淀法
戚栋
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王宁会
,
林国强
,
董闯
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2008.05.016
为了解决电弧离子镀(AIP)工艺中脉冲偏压电源与AIP等离子体负载间的匹配问题,结合脉冲偏压下AIP工艺实验,运用等离子体鞘层理论、电路理论和仿真模拟技术,得到AIP等离子体负载本质上是由鞘层引起的容性负载,在电路中可以等效为电容和电阻相并联的单元;根据AIP等离子体鞘层演化的特性,将AIP等离子体负载的等效电容表征为与时间无关而只与脉冲偏压幅度和等离子体相关参数有关的量,AIP等离子体负载的等效电阻,可以在直流偏压下通过测量与脉冲偏压幅值对应的AIP等离子体负载电流来确定.经验证,本文建立的AIP等离子体负载的等效电路模型及其定量表征是有效性的.
关键词:
电弧离子镀等离子体负载
,
脉冲偏压
,
电路模型
,
定量表征
,
鞘层
戚栋
,
王宁会
,
林国强
,
董闯
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2006.08.015
基于一维平板鞘层模型,建立了脉冲偏压电弧离子镀(PBAIP)鞘层随时间演化的动力学模型,给出了其解析表达式,并结合PBAIP工艺中等离子体参数的测量结果,模拟分析了PBAIP鞘层的厚度和鞘层中的离子流密度随时间的演化规律及其受脉冲偏压幅度等参数的影响.结果表明:在PBAIP工艺中,稳态鞘层的厚度及形成稳态鞘层的时间均远小于已报道的等离子体源注入(PSⅡ)等鞘层对应的值;PBAIP鞘层的扩展几乎是实时跟随脉冲偏压的变化,脉冲偏压下每一时刻的鞘层厚度与对应直流偏压下的鞘层厚度几乎相等.
关键词:
脉冲偏压电弧离子镀(PBAIP)
,
鞘层
,
演化
,
数值模拟
孟德川
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王宁会
,
李国锋
功能材料
介绍了一种以黑铅硅矿石为主要填料的新型复合材料的电导率正负温度系数特性.分析了黑铅硅石填充量和电导率的关系以及温度变化对复合材料电导率的影响.结果表明,随着黑铅硅石含量的增加,复合材料电导率逐渐增加,在黑铅硅石含量为55％(质量分数)时电导率出现极大值后开始下降.电导率随温度变化在低于140℃时呈现NTC效应,超过后呈现PTC效应.
关键词:
黑铅硅石
,
电导率
,
温度系数效应
