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垂直转盘式MOCVD反应器进口温度对GaN生长的影响

左然 , 王宗琪 , 陈鹏

人工晶体学报

针对垂直转盘式MOCVD反应器进口温度对GaN生长的影响进行数值模拟研究,分别考虑预混合进口和分隔进口两种情况.通过对包含主要化学反应路径的气体输运过程的模拟,对比不同进口温度下衬底前沿的反应前体浓度及其对应的生长速率的变化,从而确定进口温度对化学反应路径及生长速率的影响关系.结果表明,两种进口情况...

关键词: MOCVD , 进口温度 , GaN , 数值模拟