王宗篪
,
杨燮龙
,
宫峰飞
,
曾琅
,
陈国
,
杨介信
,
钱思明
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.01.005
测定了不同张应力退火生成的Fe73Cu1Nb1.5V2Si13.5B9纳米微晶带在高频纵向驱动埸下的巨磁阻抗效应.从相位随外磁埸的变化规律中得出,与磁损耗相应的μ"随外磁埸的变化是引起高频纵向驱动巨磁阻抗效应的重要原因.并由相位随外磁埸变化的最小值可以很容易地确定出材料的横向磁各向异性埸Hk的大小,这为测量材料的磁各向异性埸提供了一个新的方法.
关键词:
Fe基纳米晶
,
纵向驱动巨磁阻抗效应
,
相位
,
磁损耗
陈春霞
,
钱思明
,
宫峰飞
,
王宗篪
,
姜继森
,
杨燮龙
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2000.03.023
运用穆斯堡尔谱、TEM、XRD方法研究了 Fe3O4/聚氯乙烯(PVC)粉末高能球磨产物,发现有超顺磁性α-Fe2O3生成,其形成原因可能是聚合物在空气降解、生成含氧官能团与Fe3O4相互作用.
关键词:
聚合物
,
氧化铁
,
纳米复合材料
,
高能球磨法
郑冬梅
,
王宗篪
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2012.04.001
在有效质量近似基础上,考虑强的内建电场效应,变分计算了纤锌矿结构的GaN柱形量子点中带电量为-e的离子受主束缚激子(A-,X)的发光波长.结果表明,离子受主束缚激子发光波长强烈依赖于量子点的尺寸(高度和半径)、离子受主杂质的位置和垒中A1含量.随着量子点高度、半径及垒中A1含量的增加,离子受主束缚激子发光波长增大.随着离子受主杂质从量子点左边垒中沿z轴方向移至量子点左边界,发光波长先增大,在量子点的左界面附近达到极大值；随着离子受主杂质在量子点内继续右移,发光波长减小,当杂质位于量子点的右边界附近时光跃迁波长达到极小值；进一步右移离子受主杂质至量子点的右边垒中时,发光波长增大.和自由激子光跃迁波长相比,当离子受主杂质位于量子点中心的左边时,杂质的引入使发光波长增大,当离子受主杂质位于量子点中心的右边时,杂质的引入使发光波长减小.
关键词:
光电子学
,
柱形量子点
,
内建电场
,
离子受主束缚激子
,
发光波长
郑冬梅
,
王宗篪
,
苏春燕
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2011.01.016
在有效质量近似下,采用变分法,研究了内建电场和杂质对双电子柱形GaN/AlxGa1-xN量子点系统束缚能的影响.结果表明:杂质带负电时,体系基态能量都比较大,不易形成稳定的束缚态.带电量为e的施主杂质位于量子点中心时,杂质电子的束缚能随量子点高度和半径的增加先缓慢增大后减小,存在最大值;随着Al含量的增加,体系的束缚能增大.随着杂质从量子点下界面沿z轴移至上界面,体系的束缚能先增大后减小.与单电子杂质态相比,内建电场对双电子量子点系统束缚能的影响比较显著;当量子点高度L<6 nm时,杂质双电子量子点系统的束缚能大于单电子杂质态束缚能,而当量子点高度L6 nm时,杂质双电子量子点系统的束缚能小于单电子杂质态束缚能.
关键词:
光电子学
,
柱形量子点
,
内建电场
,
杂质
,
束缚能
