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MOCVD生长AlN/GaN化学反应路径的量子化学研究

王宝良 , 左然 , 孟素慈 , 陈鹏

人工晶体学报

应用量子化学的密度泛函理论,对MOCVD生长GaN/AlN薄膜的反应路径进行理论计算和分析,特别是针对Ⅲ族TMX(X=Ga,Al)与V族NH3的反应路径与温度的关系进行研究.计算结果表明:当温度T≤473.15 K时,反应自由能△G＜0,TMX与NH3自发生成配位加合物TMX∶ NH3;当T≥573...

关键词: AlN/GaN , MOCVD , 密度泛函理论 , 化学反应路径