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排气方式及工艺参数对等离子体刻蚀a-Si 均一性的影响

张立祥 , 王海涛 , 王尤海 , 夏庆峰

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20163112.1112

本文对在等离子体刻蚀工艺中,功率、压强、气体比例重要参数对 a-Si 刻蚀均一性的影响进行了研究。采用PECVD 成膜、RIE 等离子体刻蚀,并通过台阶仪和光谱膜厚测定仪对膜厚进行表征。结果表明压强在10~15 Pa,功率在5500~6500 W 的参数区间,a-Si 刻蚀均一性波动不大,适合工业化...

关键词: 等离子体刻蚀 , a-Si , 均一性 , 排气方式