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高激发功率对GaP∶N发光谱的影响

康秀英 , 杨锡震 , 王亚非 , 王幼林

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2001.01.009

讨论了掺氮磷化镓（GaP∶N）荧光光谱的峰值强度（孤立氮等电子中心束缚激子发光峰A、最邻近N-N对束缚激子发光峰NN1和次邻近N-N对束缚激子发光峰NN3）随激发强度的变化规律，并在发光跃迁动力学方程中计入了由于高激发密度引起的样品温度升高，而导致孤立氮A的能级NA和最邻近N-N对NN1的能级的热激...

关键词: 掺氮磷化镓(GaP∶N) , 荧光光谱 , 拟合