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硅纳米线复合Mg2Si基热电材料的制备与性能研究

杜子良 , 陈少平 , 王彦坤 , 樊文浩 , 孟庆森 , 杨江锋 , 崔教林

稀有金属材料与工程

利用溶液法混合粉体并通过电场激活压力辅助烧结(FAPAS)方法制备了不同硅纳米线含量的Mg2Si基复合热电材料,研究了硅纳米线的掺入及含量对基体材料热电性能的影响.结果表明:硅纳米线掺入后材料电导率大幅降低,塞贝克系数基本不变,热导率小幅降低.随着硅纳米线掺量增加,材料电导率降低,塞贝克系数稍有提高,热导率有升高趋势.硅纳米线掺量为0.1at%的样品在800 K时ZT值达到最高值0.5.

关键词: 热电性能 , SiNWs , Mg2Si , 纳米复合 , SPB

微波辅助MgH2固相反应法制备Mg2Si1-xSnx基热电材料及性能

王彦坤 , 陈少平 , 樊文浩 , 张华 , 孟庆森 , 杨江峰 , 崔教林

稀有金属材料与工程

在微波作用下利用MgH2、纳米Si粉、Sn粉和Bi粉进行固相反应,结合电场激活压力辅助合成法(FAPAS)制备了高纯Bi掺杂的Mg2Si1-xSnx(0.4≤x≤0.6)基固溶体热电材料,并对其微观结构和熟电性能进行了表征.结果表明,MgH2替代传统原料Mg粉显著降低了圃相反应温度且防止了M8的挥发和氧化,同时微波快速低温加热有效抑制晶粒长大,可获得平均晶粒尺寸为200 nm的高纯产物.在300~750 K的温度区间对样品热电性能进行测试.结果表明,细小的片层固溶体组织和Bi的掺杂有效降低了样品热导率,同时改善了其电性能,在600 K时,含1.5%Bi(原子分数)的Mg2Si0.4Sn0.6热电材料具有最大ZT值0.91.

关键词: 微波 , MgH2 , Mg2Si1-xSnx , 热电材料

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