张家祥
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王彦强
,
卢凯
,
张文余
,
王凤涛
,
冀新友
,
王亮
,
张洁
,
王琪
,
刘琨
,
李良杰
,
李京鹏
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20173206.0433
本文对Mo/Al/Mo作为TFT-LCD器件源/漏极的TFT特性进行了研究.与单层Mo相比,存在沟道界面粗糙,Ioff偏大问题,通过优化膜层结构,改善界面状态,得到了平整的沟道界面和良好的TFT特性.增加Bottom Mo的厚度,可以有效减少Al的渗透,防止Al-Si化合物的形成,得到界面平整的沟道...
关键词:
沟道界面
,
漏电流
,
Al电极
,
TFT特性
