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气氛氧压对脉冲激光法制备的CeO2/Si薄膜的结晶取向的影响

李美亚 , 王忠烈 , 范守善 , 赵清太 , 熊光成 , 林揆训

功能材料

用脉冲激光镀膜法,在不同的温度和氧压条件下,在Si(100)片上制备了一系列的CeO2膜.X射线衍射分析表明,在较低的氧压下生长的CeO2膜为(111)取向,在较高的氧压下生长的膜则为(100)取向.研究表明,CeO2膜的取向对氧压显示了独特的依赖性,氧压对控制膜的结晶取向具有十分重要的作用.讨论了氧压对CeO2薄膜结晶取向影响的可能机理.

关键词: CeO2薄膜 , 结晶取向 , 脉冲激光沉积 , 气氛氧压