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纳米MgO/PI杂化薄膜的制备及其击穿特性

范勇 , 王春平 , 陈昊 , 杨瑞宵

绝缘材料

采用微乳化-热液法制备了纳米氧化镁粒子，并原位聚合制得纳米氧化镁掺杂改性聚酰胺酸，制备出纳米氧化镁掺杂量分别为0%、2%、4%、6%、8%的杂化聚酰亚胺薄膜，并研究了其击穿特性。结果表明：无机纳米氧化镁粒子在聚酰亚胺基体中分布均匀，纳米氧化镁掺杂量约为4%时，电气强度出现最大值。

关键词: 聚酰亚胺 , 纳米氧化镁 , 电气强度 , SEM