王显明
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孙振翠
,
魏芹芹
,
王强
,
曹文田
,
薛成山
稀有金属材料与工程
利用热壁化学气相沉积在Si(111)衬底上获得GaN晶环,采用扫描电镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)、X射线衍射(XRD),光致发光(PL)谱和傅里叶红外吸收谱(FTIR)对晶环的组成、结构、形貌和光学特性进行分析.初步结果证明:在Si(111)衬底上获得择优生长的六方纤锌矿结构的GaN晶环.SEM显示在均匀的薄膜上出现直径约为10μm的5晶环,由XRD和SAED的分析证实晶环呈六方纤矿多晶结构,FTIR显示GaN薄膜的主要成分为GaN,同时含有少量的C污染,PL测试表明晶环呈现不同于GaN薄膜的发光特性.
关键词:
热壁化学气相沉积
,
氮化镓
,
晶环
王显明
,
杨利
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王翠梅
,
薛成山
稀有金属材料与工程
用氨化溅射Ga2O3薄膜的方法,成功地合成了一维GaN纳米线.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和高分辨电镜(HRTEM)对样品进行了分析.生成的GaN纳米线平直光滑,其直径为20 nm～90 nm,长可达50 μm;纳米线为高质量的单晶六方纤锌矿GaN,沿[110]方向生长.用此工艺制备GaN纳米线,避免了在制备过程中引入杂质,合成的纳米线纯度较高.
关键词:
氨化
,
Ga2O3薄膜
,
GaN纳米线
,
射频磁控溅射
王显明
,
杨利
,
王翠梅
,
薛成山
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2003.06.006
通过氨化射频溅射工艺生长的纳米Ga2O3薄膜, 在石英衬底上反应自组装生成了高质量的GaN纳米线. 用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和高分辨电镜(HRTEM)对样品的组分、形貌和结构进行了分析. 生成的GaN纳米线平直光滑, 其直径为20～120 nm, 长可达50 μm; 纳米线为高质量的单晶六方纤锌矿GaN, 沿[110]方向生长. 用此工艺制备GaN纳米线, 简单新颖, 不需要模板或催化剂的辅助作用.
关键词:
纳米Ga2O3薄膜
,
GaN纳米线
,
射频磁控溅射
,
氨化
