江国健
,
庄汉锐
,
王本民
,
张炯
,
阮美玲
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.04.016
在对自蔓延高温合成方法制得的AIN晶须形态研究的基础上,采用高分辩电镜等技术,对AIN晶须进行了生长机理研究,结果表明,晶须头部的小液滴显示氮化铝晶须可由VLS机制生成.光滑晶须头部的出现、过饱和度与晶须直径的关系、侧面的二次生长、生长台阶的出现,这些都说明VS机制在起作用.虽然在AIN晶须中发现层错和位错,但经过分析认为,它们都不是氮化铝晶须的生长机制.
关键词:
自蔓延高温合成
,
氮化铝
,
晶须
,
生长机理
江国健
,
庄汉锐
,
王本民
,
张炯
,
阮美玲
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.04.015
采用自蔓延高温合成技术(SHS),在高压氮气中成功地合成了氮化铝晶须,并对它的显微结构进行了研究.研究结果表明,由于制备时的生长条件极不稳定,出现不同形态的晶须形貌,除了细长均匀的氮化铝晶须外,还出现了各种其它不规则形状的产物.过饱和度的不同,产生了枝蔓晶结构.按照VS生长方式,在均衡生长条件下,生长为本征结构的氮化铝晶须.晶须顶端的杂质小液滴,为VLS生长方式创造了条件.通过光学显微镜观察,合成出的氮化铝晶须是透明的.
关键词:
自蔓延高温合成
,
氮化铝
,
晶须
,
生长机理
