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退火对硼掺杂微晶硅薄膜性能的影响

王果 , 卢景霄 , 李新利 , 高海波 , 焦岳超 , 李瑞

功能材料

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RFPECVD)法制备了不同硼烷掺杂比例的微晶硅薄膜.随后在不同温度、不同气氛下,对沉积得到的P型微晶硅薄膜进行了退火处理.研究发现,对初始晶化率较高的薄膜,退火后其晶化率发生下降;初始晶化率较低的薄膜,退火后其晶化率则有所提高;并且,在高真空中退火更有利于薄膜的晶化.退火后,薄膜表面粗糙度的变化情况受其初始晶化率的影响;薄膜的暗电导率有大幅度的增加.其中,掺杂浓度较高的薄膜,在真空退火后其晶化率、表面粗糙度和电导都有显著的提高.

关键词: p型微晶硅 , 退火 , PECVD , 晶化率 , 表面粗糙度

Ag/SiO2纳米复合材料的制备及其导电性能研究

王果 , 戴静 , 毛从文 , 蒋新

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2006.05.033

利用新型吸附相反应技术,以纳米SiO2表面的吸附水层为反应器,制备Ag/SiO2纳米复合材料.初步探讨了水醇配比和反应物浓度对纳米银晶粒粒径及复合材料电阻率(ρ)的影响.结果表明,改变体系中水醇配比和氢氧化钠浓度,可控制银晶粒大小.而银晶粒粒径的改变会对复合材料的电阻率产生一定影响.经万用表测量分析可知,银含量是纳米复合材料电阻率的决定性因素.该工艺得到的Ag/SiO2复合材料电阻率大小可控,银粒子分散性好.

关键词: 吸附相反应技术 , 纳米复合材料 , Ag , 平均粒径 , 电阻率

热释电红外探测器的OTA整流电路优化设计

王芳 , 韩文超 , 李蕾 , 王果 , 刘玉芳 , 马春旺

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2012.03.015

本文提出了一种可用于热释电红外探测技术的基于跨导运算放大器(OTA)且唯一有源器件的全波整流电路,该电路利用OTA的差分放大特性,明显改善了普通运放整流电路引起的输出波形过零失真.针对普通OTA输入信号范围小的缺点,提出补偿OTA全波整流电路,不仅扩大了输入信号范围,同时通过调节偏置电流可实现整流后信号再次放大.给出了仿真结果并用于大信号宽频带热释电红外探测电路,实验证明电路工作稳定,整流输出达到预期效果.

关键词: 全波整流 , 跨导运算放大器 , 电压-电流模电路 , 热释电探测

由1,5-二羟基多羟基烃合成哌啶衍生物

江富祥 , 刘巧珍 , 王果 , 陈河如

应用化学 doi:10.3724/SP.J.1095.2013.20516

以1,5-二羟基多羟基烃为原料,通过磺酰化转化为活泼的1,5-二磺酸酯,再与不同类型的伯胺化合物反应生成多羟基哌啶衍生物.探讨了反应温度、反应时间和伯胺类型等条件对成环反应的影响,当反应温度为90~100℃、反应时间为18 h时,成环反应的收率达到了74%~94%.

关键词: 二羟基多羟基烃 , 哌啶 , 多羟基哌啶 , 有机合成

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