徐赞瑜
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李明伟
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王正乾
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王晓丁
材料科学与工程学报
采用低雷诺数κ-ε紊流模型,模拟了直拉法坩埚内加入间壁后硅熔体的流动和氧的输运情况.分析了不同的间壁长度、间壁位置、晶体转速、坩埚转速和温度边界条件对流场和浓度场的影响.结果表明:变化间壁的长度和位置,硅熔体流动有较大的变化;间壁的长度变短,熔体-晶体界面的氧浓度增加;增加间壁与坩埚中心轴的距离,熔体-晶体界面的氧浓度降低;增加晶体转速或坩埚转速能提高熔体-晶体界面氧浓度的径向分布均匀性;增加坩埚侧壁与熔体-晶体界面的温差,流动增强,熔体-晶体界面的氧浓度增大.
关键词:
直拉法
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间壁
,
紊流模型
,
数值模拟
,
硅
王正乾
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李明伟
,
徐赟瑜
,
王晓丁
材料科学与工程学报
采用低雷诺数/κ-ε湍流模型,模拟了双坩埚LEC法砷化镓熔体的流动与传热传质.分析了不同晶体转速、内坩埚转速、外坩埚转速条件下的熔体流动与传热,获得了考虑溶质分凝效应后的Si掺杂在砷化镓熔体中的分布.结果表明:随着晶体转速的增大,生长界面附近等温线更加平直且等温线密度增大;随着内坩埚转速的增大,生长界面附近等温线凸向熔体:外坩埚转速对生长界面等温线形状影响很小;Si在熔体中的质量浓度梯度除生长界面和补充熔体进口处较大外.主要集中在小管内及其附近.
关键词:
液封提拉法
,
质量浓度
,
数值模拟
,
双坩埚
