靳瑞敏
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王玉仓
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陈兰莉
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罗鹏辉
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郭新峰
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卢景霄
材料导报
通过PECVD法于不同温度直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,选择于850℃分别退火2h、3h、6h、8h.于700℃分别退火5h、7h、10h、13h,于900℃分别退火1h、3h、8h,分别于720℃、790℃、840℃、900℃、940℃退火1h,然后用拉曼光谱和SEM进行对比分析,发现退火温度与退火时间的影响是相互关联的,并且出现一系列晶化效果好的极值点.
关键词:
PECVD法
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非晶硅薄膜
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多晶硅薄膜
,
二次晶化
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拉曼光谱
,
扫描电镜
