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白金超 , 王玉堂 , 郭总杰 , 丁向前 , 袁剑峰 , 邵喜斌
液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20153003.0432
研究了过孔接触电阻变化规律，并进行机理分析，为优化薄膜晶体管的过孔设计提供依据。首先，运用开尔文四线检测法对不同大小、形状、数量的钼/铝/钼结构的栅极和源/漏层金属与氧化铟锡连接过孔的接触电阻进行测试。然后，通过扫描电子显徽镜、能量色散 X射线光谱仪和聚焦离子束显徽镜对过孔内部形貌进行表征。最后，对...
关键词: 薄膜晶体管阵列工艺 , 接触电阻 , 过孔设计优化
