张喜田
,
王玉玺
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1998.02.010
利用离子注入法,以300keV的能量,7×1014cm-2的剂量,在室温下,对(100)InP晶体进行稀土(RE)元素Er的注入;分别在600℃、650℃、700℃、750℃、800℃温度下,采用安瓿闭管恒温退火20h.二次离子质谱仪(SIMS)观测到稀土元素Er原子在InP中的分布,直到800℃时几乎没有变化;在77K温度下,观测到InP中Er3+离子的1.54μm特征光致发光(PL)峰.提出退火温度对InP中Er3+离子的光致发光强度影响的机理.
关键词:
离子注入
,
光致发光
,
配位体
,
稀土元素
,
半导体材料
,
磷化铟
沈强
,
王玉玺
兵器材料科学与工程
针对A7N01铝合金MIG焊接工艺,分别采用纯Ar气体和He-N2-Ar混合气体作为保护气体,并通过拉伸、弯曲、硬度以及疲劳试验分析焊接接头的力学性能.试验结果表明:与纯Ar气体保护焊相比,采用He-N2-Ar混合气体焊接时,A7N01焊接接头在循环寿命为107条件下的疲劳强度提高约9.3％,而接头准静态拉伸性能的改善效果有限,其抗拉强度仅提高约2.5％;在He-N2-Ar混合气体保护条件下,焊接接头疲劳性能改善的主要原因是焊缝气孔数量明显减少,而焊接气孔对接头的准静态抗拉强度影响不大.
关键词:
7N01铝合金
,
保护气体
,
MIG焊
,
力学性能
,
疲劳性能
