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王现彬 , 赵正平
材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.05.010
氮极性(N-polar)GaN与镓极性(Ga-polar)GaN 极性相反,且具有较高的表面化学活性,使其在光电子、微电子及传感器等领域逐渐受到关注。文章结合一些相关研究报道,综述了 N-polar GaN 上欧姆接触的研究进展。首先对 N-polar GaN材料的制备进行了分析,随后对 N-pol...
关键词: 氮极性 , 氮化镓 , 欧姆接触 , 氮化铝
材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.06.032
建立了氮极性(N-polar)GaN基HEMT器件的准二维(Quasi-2-D)电荷传输模型,仿真研究了N-polar GaN基HEMT的直流特性.仿真结果表明,不同的极化效应会对输出特性曲线和转移特性曲线产生不同的影响,考虑自发极化效应(Psp)+压电极化效应(Ppe)、只考虑Ppe和只考虑Psp...
关键词: N极性 , 高电子迁移率晶体管 , 极化效应 , 直流特性
王现彬 , 王颖莉 , 赵正平
材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2017.04.004
N-polar GaN以其特有的材料特性和化学活性日益受到研究者关注,而N-polar GaN上欧姆接触也成为研究的热点.以Ti/Al/Ni/Au作为欧姆接触金属,分析了N-polar GaN上欧姆接触的最优退火条件,并借助剖面透射电子显微镜(TEM)和能量色散X射线能谱仪(EDX)研究了金属和N-...
关键词: Ti/Al/Ni/Au , 欧姆接触 , 氮极性 , 氧化铝