王现彬
,
赵正平
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.05.010
氮极性(N-polar)GaN与镓极性(Ga-polar)GaN 极性相反，且具有较高的表面化学活性，使其在光电子、微电子及传感器等领域逐渐受到关注。文章结合一些相关研究报道，综述了 N-polar GaN 上欧姆接触的研究进展。首先对 N-polar GaN材料的制备进行了分析，随后对 N-polar GaN的欧姆接触电极的金属化方案及欧姆接触机理等内容进行了综合讨论，以期为实际 N-polar GaN欧姆接触研究提供一些参考。
关键词:
氮极性
,
氮化镓
,
欧姆接触
,
氮化铝
王现彬
,
赵正平
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.06.032
建立了氮极性(N-polar)GaN基HEMT器件的准二维(Quasi-2-D)电荷传输模型,仿真研究了N-polar GaN基HEMT的直流特性.仿真结果表明,不同的极化效应会对输出特性曲线和转移特性曲线产生不同的影响,考虑自发极化效应(Psp)+压电极化效应(Ppe)、只考虑Ppe和只考虑Psp三种情况下的阈值电压分别为:-3.96 V、-2.29 V和-2.47 V,而其对应的峰值跨导则分别为44 mS/mm、41.2 mS/mm和41.3 mS/mm.该模型为N-polar GaN基HEMT器件仿真提供了理论参考.
关键词:
N极性
,
高电子迁移率晶体管
,
极化效应
,
直流特性
王现彬
,
王颖莉
,
赵正平
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2017.04.004
N-polar GaN以其特有的材料特性和化学活性日益受到研究者关注,而N-polar GaN上欧姆接触也成为研究的热点.以Ti/Al/Ni/Au作为欧姆接触金属,分析了N-polar GaN上欧姆接触的最优退火条件,并借助剖面透射电子显微镜(TEM)和能量色散X射线能谱仪(EDX)研究了金属和N-polar GaN之间的反应生成物.结果表明,当退火温度升高到860℃时,可得到比接触电阻率ρc为1.7×10-5Ω·cm2的最优欧姆接触特性.TEM和EDX测试发现,除了生成已报道的AlN,还会在界面处产生多晶AlOx,两者共同作用会进一步拉高势垒,从而对N-polar GaN上欧姆接触产生不利影响.
关键词:
Ti/Al/Ni/Au
,
欧姆接触
,
氮极性
,
氧化铝
