欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

  • 论文(63)
  • 图书()
  • 专利()
  • 新闻()

制氧机故障时供氧系统的优化决策

童莉葛 , 王立 , 汤学忠 , 赵立合 , 李化治 , 刘姿 , 王维敏 , 程玉之 , 章水清 , 钱爱囡

钢铁

建立了钢铁厂制氧机故障时的供氧系统优化决策模型,并具体应用在宝钢能源部的智能管理系统中.通过开发实例,详细说明了模型构造的思路和方法.系统可对钢铁企业的气体用户和气体生产部门进行供需平衡规划,给出符合决策者意图的专家决策,实现气体的合理利用.该系统充分体现了智能化的特点,使用方便,使决策者能够在决策过程中充分介入.

关键词: 模型 , 智能管理系统 , 能源规划

退役高压交联聚乙烯电缆绝缘结晶特性与热稳定性分析

任志刚 , 罗潘 , 徐阳 , 叶宽 , 冯义 , 徐曼 , 李华春 , 任文娥 , 王立

绝缘材料

通过对北京地区的多根退役110 kV及220 kV交联聚乙烯电缆绝缘层进行差示扫描量热、热失重和傅里叶红外光谱等分析,研究了绝缘材料的聚集态结构及热稳定性.结果表明:电缆带电运行使XLPE的熔程变宽,带电运行的时间与材料的结晶度没有明显的关系.热失重和傅里叶红外光谱结果反映出退役XLPE电缆中只有少数试样发生了一定程度的热氧老化,大多数电缆绝缘层没有发生明显的热氧老化.

关键词: 交联聚乙烯 , 聚集态结构 , 差示扫描量热法 , 热重法 , 红外法

Si衬底GaN基LED理想因子的研究

刘卫华 , 李有群 , 方文卿 , 周毛兴 , 刘和初 , 莫春兰 , 王立 , 江风益

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.01.011

首次报道Si衬底GaN LED的理想因子.通过GaN LEDI-V曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与X射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时Si衬底GaN LED的理想因子为6.6,对应着半峰宽707arcsec;理想因子为4.5时,对应半峰宽530arcsec.蓝宝石衬底GaN LED理想因子为3.0,其对应半峰宽401arcsec.硅衬底GaN LED理想因子大的原因可以归结为高缺陷密度所致,高缺陷密度使电流隧穿更容易进行.

关键词: Si衬底 , GaN , LED , 理想因子

形貌和光照条件对ZnO抗菌性能的影响

段惺 , 徐晓玲 , 黄承 , 易志刚 , 朱文君 , 王立 , 周祚万 , 范希梅

功能材料

检测了四针状氧化锌晶须、纳米氧化锌和普通工业级氧化锌的抗菌性能,比较了形貌和光照条件对ZnO抗菌性能的影响,并研究了ZnO对不同菌种的抗菌性能差异.结果表明,Zno形貌对其抗菌性能有较大影响,有光条件下ZnO抗菌性能大于无光条件下,3种ZnO对大肠杆菌的抗菌性能均比对金黄色葡萄球菌好.

关键词: 氧化锌 , 抗菌 , 形貌 , 光照 , 革兰氏阳性菌 , 革兰氏阴性菌

MOCVD方法在Ti/Si(111)模板上生长ZnO薄膜的研究

李冬梅 , 李璠 , 苏宏波 , 王立 , 戴江南 , 蒲勇 , 方文卿 , 江风益

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.014

本文采用常压MOGVD方法在Ti/Si(111)模板上生长了氧化锌(ZnO)薄膜,使用二乙基锌为Zn源,去离子水为O源.Si衬底上的Ti薄层采用电子束蒸发台蒸发,然后低温生长缓冲层并在高温下进行重结晶,接着在680℃进行ZnO薄膜的生长.采用粉末衍射法、双晶X射线衍射及光致发光技术研究了材料的取向、结晶性能及发光性能.结果表明,本文制备了高度择优取向和良好发光性能的ZnO薄膜.

关键词: 氧化锌 , 金属Ti , Si衬底 , 金属有机化学气相沉积

UV固化的环氧丙烯酸树脂耐磨加硬涂层的制备及性能

任鹏飞 , 王立 , 俞豪杰 , 田志飞 , 任福杰 , 邓正 , 陈永盛 , Zain-ul Abdin , Muhammad Saleem

材料科学与工程学报 doi:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2016.02.002

本文通过环氧树脂和丙烯酸为原料反应合成了环氧丙烯酸树脂(EA),然后用硅烷偶联剂3-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷(MPS)对其进行改性,得到可紫外光固化的有机硅耐磨透明涂层,并对涂层的各种性能进行了测试,如硬度测试、附着力测试和耐磨性能测试等.结果表明,相比未涂覆的有机玻璃基材,涂覆后的有机玻璃基材的表面硬度和透光率均有所增加,且随硅烷偶联剂含量的增加而有所提高.对耐磨涂层的热稳定性也进行了研究,结果发现,改性后的环氧丙烯酸树脂的热稳定性要明显好于未改性的.

关键词: UV固化涂料 , 环氧丙烯酸树脂 , 耐磨性能

掺Si对MOCVD生长的GaN单晶膜的黄带发射及生长速率的影响

李述体 , 莫春兰 , 李鹏 , 王立 , 熊传兵 , 彭学新 , 江风益

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.022

对MOCVD生长GaN:Si薄膜进行了研究,研究表明随SiH4/TMGa流量比增大,GaN:Si单晶膜的电子浓度增大,迁移率下降,X射线双晶衍射峰半高宽增加,同时带边发射强度得到了大大的提高,并报导了随SiH4/TMGa流量比增大,GaN:Si的生长速率降低的现象.研究结果还表明,预反应对GaN:Si单晶膜黄带发射影响很大,预反应的减小可以使黄带受到抑制.

关键词: MOCVD , GaN:Si , 光致发光

熔融挤出插层法制备纳米粘土聚合物研究进展

余希林 , 宋国君 , 王俊霞 , 王立 , 江峰 , 孙翠华 , 李培耀

材料导报

提出了纳米粘土聚合物的新概念,概述了熔融法制备纳米粘土聚合物的发展现状,重点对近年来熔融挤出插层法制备纳米粘土聚合物的研究进行了归纳,并对纳米粘土聚合物的应用进行总结和展望.

关键词: 纳米粘土聚合物 , 熔融挤出插层 , 进展

基于SMAW高温熔池流动的元素分布

童莉葛 , 谷京晨 , 刘永旭 , 黎磊 , 王立 , 白芳 , 白世武

工程热物理学报

本文对比了焊炬摆动对熔池内部流动和元素分布规律的影响.焊炬无摆动时元素分布呈双峰型,峰值位置在熔池中心左右3 mm处;熔池中心Mn、Mo、Ni和Cr含量较高,分别为1.298%、0.149%、0.146%和0.011%;旋涡中心C、Si、P和S含量最大,分别为0.048%、0.260%、0.014%和0.009%.焊炬摆动时元素分布呈单峰型;熔池中心C、Si、P和S含量最高,分别为0.050%、0.270%、0.016%和0.010%;熔池中心Mn、Mo、Ni和Cr含量最低,分别为1.121%、0.063%、0.062%和0.005%.

关键词: 元素分布 , Marangoni效应 , 相变 , 传热 , 高温熔池

  • 首页
  • 上一页
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 下一页
  • 末页
  • 共7页
  • 跳转 Go

出版年份

刊物分类

相关作者

相关热词