林致远
,
马骏
,
林亮
,
杨成绍
,
邹志翔
,
黄寅虎
,
文锺源
,
王章涛
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163105.0460
本实验于原有的单底栅a-Si TFT产品结构下,通过增加不同的顶栅极设计方式(不同a-Si覆盖比例、不同沟道几何形貌、不同沟道W/L比例)来研究双栅极设计对a-Si TFT特性的影响.实验结果显示双栅极a-Si TFT比现行单底栅a-Si TFT可以提升Ion7％、降低SS 3％、同时对Ioff以及...
关键词:
高开口率高级超维场转换技术
,
非晶硅
,
薄膜电晶体
,
双栅极
张春兵
,
晏斌
,
徐利燕
,
唐乌力吉白尔
,
王峥
,
王章涛
,
邵喜斌
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132804.0582
快门式3D液晶显示是目前的市场主流,改善其串扰问题可以提高显示品质.文中描述了一种采用预充电和充电方式进行像素数据写入的侧边式LED背光快门眼镜3D显示装置.配合背光LED时序,实现了较高的3D显示亮度的同时,降低了3D显示中的串扰.并且在实验中制作出一个139.7 cm(55 in)快门眼镜式3D...
关键词:
薄膜晶体管液晶显示
,
快门眼镜3D
,
预充电驱动
,
背光扫描
,
3D串扰
,
3D亮度
林致远
,
杨成绍
,
邹志翔
,
操彬彬
,
黄寅虎
,
文锺源
,
王章涛
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163104.0370
通过不同TFT几何结构验证ITO像素电极工序对于HADS产品TFT特性的影响.实验结果显示TN5mask与倒反HADS结构(源漏极→ITO像素电极)二者有比现行HADS结构(ITO像素电极→源漏极)更高的Ion,提升比率达到40％.推测主要原因为现行HADS结构(ITO像素电极→源漏极)在Si岛完成...
关键词:
高开口率高级超维场转换技术
,
非晶硅
,
薄膜电晶体
,
Poole-Frenkel
刘翔
,
王章涛
,
崔祥彦
,
邓振波
,
王海军
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.02.012
光刻胶灰化是薄膜晶体管四次光刻工艺的核心工艺之一.初步研究了用纯O2对光刻胶进行灰化的工艺,影响光刻胶灰化的主要因素有功率、气压和灰化气体的流量,经过一组正交实验,得到了功率、气压、灰化气体的流量对光刻胶的灰化速率和均匀度的影响趋势.结果表明,功率是影响灰化速率的主要因素.通过不断地优化光刻胶的灰化...
关键词:
薄膜晶体管
,
四次光刻
,
光刻胶
,
灰化
王明超
,
姚之晓
,
刘家荣
,
林鸿涛
,
王章涛
,
邵喜斌
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132802.0215
为研究画面闪烁与光照漏电流(Ioff-p)的关系,文章进行了一系列的实验.首先利用色彩分析仪(CA310)分别测试了3张面板正、反两面的闪烁.其次通过测量闪烁随背光源亮度的变化研究了其与光照的关系.同时还采用光敏放大器测试了面板正、反两面闪烁画面下的亮度信号,并给出了原理性解释.最后采用半导体参数设...
关键词:
TFT-LCD
,
闪烁
,
光照漏电流
,
亮度
,
像素电压
林鸿涛
,
王明超
,
姚之晓
,
刘家荣
,
王章涛
,
邵喜斌
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132804.0567
画面闪烁是TFT-LCD的重要缺陷.文章通过一系列的实验,观察了Photo-Ioff、Vcom、Flicker、Vgs之间的关系,并给出了机理解释.Vgs的变化产生△Vp,导致Vcom的漂移,形成闪烁,但如果Vcom的均匀性较好,这种闪烁理论上可以通过Vcom调整消除.Photo-Ioff造成在正、...
关键词:
薄膜晶体管液晶显示器
,
闪烁
,
光照漏电流
,
公共极电压漂移
,
电压保持特性
刘杰
,
李东熙
,
金炯旲
,
王章涛
,
邵喜斌
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132806.0872
偏光片作为液晶显示器的重要组成部分之一,其特性会直接影响到显示器的画面显示效果.文章首先对偏光片的基本组成进行了介绍,依据水分与偏光片透过率的关系.对偏光片相关的一种不良形成机理进行了分析,表明该不良的形成与湿度及偏光片的材质存在较大的相关性,通过使用不同材质偏光片的模组进行温湿度变化实验,验证了该...
关键词:
液晶显示器
,
偏光片
,
湿度
,
Mura
