侯爱国
,
吴卫东
,
王红斌
,
王万录
,
廖克俊
,
方亮
,
唐永健
材料导报
薄膜的制备方法对薄膜的性能和应用有很大影响,精密的电子器件、光学装置等越来越需要高品质的薄膜,这些都需要采用先进的制备方法来制备.结合近年来实验、计算机模拟及理论计算等各方面的研究结果,对应用团簇离子束法制备薄膜及研究团簇粒子方面的研究进展进行了评述,分析了影响薄膜性能的因素,并初步探讨了其成膜机理及团簇粒子的性质.
关键词:
团簇离子束
,
电子结构
,
薄膜
黄成龙
,
张继成
,
易勇
,
曹磊峰
,
王红斌
材料导报
介绍了单级衍射光栅的应用背景及其基本理论,分析了单级衍射光栅与传统黑白透射光栅的不同之处.阐述了单级衍射光栅的制作技术,分析了以电子束光刻、X射线光刻和微电镀技术为主的工艺路线的优缺点.综述了X光单级衍射光栅的发展历程以及存在的问题,并指出了其未来的研究方向.
关键词:
X光单级衍射光栅
,
黑白透射光栅
,
电子束光刻
,
X射线光刻
何小平
,
李洋龙
,
王红斌
,
程树森
钢铁研究学报
doi:10.13228/j.boyuan.issn1001-0963.20130270
以太钢新建4350m3高炉为例,论述了为实现高炉炉缸炉底的长寿,从高炉的设计、选材和砌筑等方面采取的一系列措施.炉缸设计采用“传热法”,炉底设计采用“隔热法”,炉缸炉底整体设计采用了“扬冷避热梯度布砖法”.炉缸选材使用优质高导热系数的碳砖,为了克服冷却壁与碳砖之间捣打料带来较大热阻,砌筑过程中碳砖采用顶砌冷却壁方式,并且严格控制砖衬宽度;炉壳与冷却壁采用分段灌浆.通过建立炉缸炉底传热数学模型,进一步表明了该高炉炉缸炉底优良的性能,投产后1 150℃等温线位于炉缸砖衬热面附近,有利于渣铁壳的形成;同时碳砖内部温度普遍低于750℃,温度梯度较小,碳砖脆化及热应力对砖衬的破坏作用较轻,为日后实现长寿炉缸炉底创造了必要的条件.
关键词:
高炉
,
炉缸炉底
,
传热
,
长寿
王红斌
,
杨敏
,
宁平
,
王炯
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2002.05.008
利用从沼泽土中提取的腐植酸, 研究了经氧化镧改性后的腐植酸对磷的吸附性能, 考察了各种条件对吸附的影响. 实验证明: 未经改性的腐植酸对磷几乎没有吸附作用, 而经过氧化镧改性后的腐植酸对磷有较好的吸附效果, 它对磷的吸附符合Langmuir吸附等温线, 且受时间、 pH值等的影响, 与温度的关系不大, 可作为一种有发展前景的脱磷吸附剂.
关键词:
腐植酸
,
氧化镧
,
负载
,
吸附
,
脱磷
唐顺兵
,
王红斌
,
卫继刚
,
李夯为
,
闫魁红
钢铁
从太钢4 350m3高炉对合理操作炉型的认识和调整过程出发,通过分析炉内煤气流分布、透气性指数K值、炉体温度和热负荷等影响和体现操作炉型的参数,探讨大型高炉实现操作炉型有效控制的措施。2011年太钢4 350m3高炉通过在炉身中上部进行硬质压入,控制煤气流分布和合理匹配各项操作制度等,成功实现了操作炉型的合理控制和低燃料比生产。
关键词:
大型高炉
,
操作炉型
,
炉体温度
,
热负荷
,
控制
葛芳芳
,
王红斌
功能材料
研究了不同衬底上纳米金刚石膜场电子发射性质.纳米金刚石膜是用热灯丝化学气相沉积法合成的.反应气体是CH4、H2和N2的混合物.得到的纳米金刚石膜利用扫描电子显微镜和拉曼谱等进行检测和表征.场发射是在压强为106Pa的真空室进行测量的.实验结果表明,在纳米金刚石膜上涂有碳纳米管展显了更低的开启电场,它比碳纳米管,Mo上纳米金刚石及Si上纳米金刚均要低得多.但Mo和Si上纳米金刚石要比Si上多晶金刚石开启电场低.文中对实验结果进行了讨论.
关键词:
场电子发射
,
纳米金刚石
,
碳纳米管
,
开启电场
,
化学气相沉积
王红斌
,
施金榆
,
宁平
,
杨敏
,
冯桂权
应用化学
doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2009.02.013
用无水浸渍法制备了膨润土负载型固体酸催化剂,以乙酰水杨酸合成反应为探针考察了制备及反应条件对催化性能的影响,通过XRD、DTA及离子酸度等分析测试技术对催化剂进行表征分析. 结果表明,当用体积分数10%HCl浸泡12 h以上,负载5.0 mmol/g ZnCl2或4.0 mmol/g CuCl2,550 ℃下焙烧活化3 h,制备固体酸及固体酸用量为水杨酸的5%,水杨酸和乙酸酐投料摩尔比为1∶ 2,反应温度为80～90 ℃,反应时间为1 h,产率可达96.6%. 制备的固体酸催化剂可替代浓硫酸并能重复使用.
关键词:
膨润土
,
制备
,
负载型固体酸
,
乙酰水杨酸
,
催化
李浩
,
付志兵
,
王红斌
,
易勇
,
黄维
,
张继成
人工晶体学报
采用化学气相沉积法以乙醇为碳源在铜箔生长的单层高质量的石墨烯并将其转移到SiO2/Si基底上。然后在通过自组装的方法在石墨烯表面覆盖一层单层的PS微球阵列。采用反应离子刻蚀的方法在一定的刻蚀条件下对其进行刻蚀,随着刻蚀的时间增加,PS微球的会被逐渐刻蚀掉,石墨烯也会在这个过程中随着被刻蚀。将残留的PS微球杂质去掉后,会在 SiO2/Si基底上呈现出排列规整的石墨烯纳米盘阵列。通过场发射扫描电子显微镜( SEM)、拉曼光谱对石墨烯纳米盘及其形成过程进行表征和分析,为后续制备高质量石墨烯纳米带、石墨烯纳米点、石墨烯纳米盘提供参考。
关键词:
石墨烯
,
化学气相沉积
,
PS微球
,
反应离子刻蚀
,
石墨烯纳米盘阵列
