张锡健
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马洪磊
,
王卿璞
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马瑾
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宗福建
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肖洪地
,
计峰
,
王翠英
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.01.003
用射频磁控溅射法在不同衬底上制备出了 MgxZn1- xO薄膜. X射线衍射 (XRD)和原子力显 微镜( AFM)研究结果表明,薄膜为六角纤锌矿结构,具有( 002)方向择优取向;随氧分压增加,( 002) 衍射峰的角度变大,表征薄膜表面粗糙程度的方均根粗糙度减小.室温光致发光谱中有多个紫外 及可见光致发光峰,其中 344nm发光峰应来源于近带边发射.室温透射谱表明薄膜在可见光区具 有极高的透过率,薄膜的吸收边位于 340nm附近,进而估算出 MgxZn1- xO薄膜的带隙宽度为 3.59eV, 与光致发光结果一致.
关键词:
MgxZn1- xO薄膜
,
射频磁控溅射
,
光致发光
