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V2O5掺杂对(Bi1.5Zn1.0Nb1.5)O7介质陶瓷性能的影响

王茹玉 , 黄金亮 , 周焕福 , 殷镖 , 孙道明

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2005.06.032

采用传统的固相反应法制备陶瓷试样,借助XRD,SEM和LCR测试仪,研究了V2O5掺杂对(Bi1.5Zn1.0Nb1.5)O7介质陶瓷的烧结特性和介电性能的影响.结果表明,掺杂适量V2O5后试样的烧结温度明显降低,相结构仍为立方焦绿石单相,且具有良好的介电性能:介电常数(εr)为135~154,介电损耗(tan δ)为0.0033~0.0007,频率温度系数(τf)为-442~-387(2MHz).

关键词: V2O5掺杂 , 介质陶瓷 , 烧结温度 , 介电性能

Bi4Ti3O12掺杂对(Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7陶瓷结构与介电性能的影响

周焕福 , 黄金亮 , 王茹玉 , 李谦 , 黄清伟

功能材料

研究了Bi4Ti3O12掺杂对(Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7(BZN)陶瓷烧结特性、相结构和介电性能的影响.采用传统的固相反应法制备样品,X射线衍射技术分析相结构,SEM观察表面形貌.结果表明,Bi4Ti3O12掺杂能有效地促进烧结,提高介电常数ε,降低介电损耗tgδ,优化介电频率温度系数αε.1000℃烧结8%(摩尔分数) Bi4Ti3O12掺杂的BZN陶瓷具有较好的介电性能:ε=192,tgδ= 4.21×10-4,αε=-3.37×10-4/℃.

关键词: BZN陶瓷 , Bi4Ti3O12掺杂 , 烧结特性 , 显微结构 , 介电性能

V2O5掺杂对ZnNb2O6介质陶瓷性能的影响

王茹玉 , 黄金亮 , 周焕福 , 殷镖 , 赵高磊

机械工程材料 doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2006.05.020

采用传统的固相反应法制备了V2O5掺杂ZnNb2O6介质陶瓷,借助XRD、SEM和LCR测试仪等研究了陶瓷的烧结特性及介电性能.结果表明:V2O5掺杂能有效地降低ZnNb2O6陶瓷的烧结温度,提高介电常数,改善频率温度系数,但介电损耗有所增加.经1050℃烧结,1.0%V2O5掺杂的ZnNb2O6陶瓷具有较好的介电性能,εr=28,tanδ=0.000 6,τf=-42.50×10-6℃-1.

关键词: V2O5 , 介质陶瓷 , 烧结温度 , 介电性能

CuO掺杂对ZnNb2O6介质陶瓷性能的影响

王茹玉 , 黄金亮 , 周焕福 , 殷镖 , 孙道明 , 赵高磊

材料导报

采用传统的固相反应法制备CuO掺杂ZnNb2O6介质陶瓷,借助XRD、SEM和LCR测试仪,研究了CuO掺杂对ZnNb2O6介质陶瓷的烧结特性及介电性能的影响.结果表明,CuO掺杂能有效降低ZnNb2O6陶瓷的烧结温度,提高介电常数,优化频率温度系数.1050℃烧结掺杂1.0wt%CuO的ZnNb2O6陶瓷具有较好的综合介电性能:介电常数εr=34,介电损耗tanδ=0.00039,频率温度系数τf=-46.21×10-6/℃.

关键词: CuO掺杂 , ZnNb2O6 , 烧结温度 , 介电性能

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