陈易之
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马黛
,
葛明
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王谔身
金属学报
对晶粒取向3％Si-Fe在二次再结晶早期阶段中MnS质点的形态和分布作了电子显微镜研究。确定了一般晶粒取向3％Si-Fe中MnS质点对初次晶界的抑制失效的最低温度约为1000℃。得到稳定的初次晶粒基体的一个必要条件是脱碳退火状态下MnS质点原始分布场的平均尺寸接近于质点产生有效抑制作用的Zener临界尺寸。MnS质点的抑制失效看来与质点粗化场分布特性没有明显的联系。在1000℃以上的温度,质点对初次晶界的抑制作用的丧失可归结为该温度下小于Zener临界尺寸的质点的全部溶解。
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