王雪涛
,
余林
,
彭兰乔
,
孙明
,
许洁瑜
,
余倩
,
余坚
功能材料
以化学还原手段分别在水溶液和离子液体1-丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐([bmim]PF6)中制备了纳米金属Ni粉末,采用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、傅立叶红外光谱(FT-IR)、紫外可见光谱(UV-vis)及热重(TG-DTA)对所制备样品的形貌和结构进行了表征.XRD表征结果显示:与水溶液制备纳米Ni相比,在[bmim]PF6中制备的纳米Ni具有立方相结构,无氧化峰出现;TEM结果显示:在[bmim]PF6中制备的纳米Ni具有更小的粒径和更好的颗粒分布,团聚现象不明显;FT-IR显示:离子液体不仅仅作为反应的介质,而且和纳米颗粒表面间存在着一定的化学结合,吸附在纳米颗粒的表面,有效的阻止了Ni纳米颗粒的团聚和氧化;TG-DTA及UV-vis结果进一步验证了Ni表明离子液体层的存在.苯乙烯加氢产物的分析结果表明,在[bmim]PF6中制备的纳米Ni催化苯乙烯加氢的活性显著高于常规制备的Ni催化剂.
关键词:
离子液体
,
镍
,
化学还原
,
催化剂
,
苯乙烯加氢
王雪涛
,
关庆丰
,
顾倩倩
,
彭冬晋
,
李艳
,
陈波
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.01313
为了研究超快变形诱发的非金属材料的微观结构状态, 利用强流脉冲电子束(HCPEB)技术对单晶硅进行了辐照处理, 并用透射电镜对电子束诱发的表层微观结构进行了分析. 实验结果表明, HCPEB辐照后单晶Si表层形成了丰富的缺陷结构, 互相平行的螺位错和外禀层错是辐照后最为典型的缺陷结构; 同时HCPEB辐照还诱发了密度很高的包括位错圈和SFT在内空位簇缺陷, 幅值极大和应变速率极高的表面应力导致的{111}面整体位移可能是大量空位簇缺陷形成的根本原因. 此外, HCPEB处理可在单晶Si表面形成纳米和非晶混合结构.
关键词:
强流脉冲电子束
,
single-crystal silicon
,
structure defects
,
vacancy clusters
王雪涛
,
朱丽萍
,
叶志高
,
叶志镇
,
赵炳辉
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00711
采用脉冲激光沉积(PLD)法通过电离活化方式在石英和Si(100)衬底上制备了Co-N共掺ZnO薄膜, 研究了N掺杂对Co-ZnO薄膜电学和磁学性能的影响. 实验观察到700℃、N2O压强为15Pa时生长的Co-N共掺ZnO薄膜显示室温磁滞回线. 采用XRD、SEM、XPS、霍尔测试和SQUID等手段对样品进行了测试, 结果表明, 所得薄膜样品具有高度的c轴择优取向, XRD图谱中并没有发现Co、N的相关分相, Co、N原子分别以替代位形式CoZn、NO存在于薄膜中. 霍尔测试和SQUID测试表明, Co-N共掺ZnO薄膜呈p型, 具有室温磁滞效应. 与Co掺杂ZnO薄膜相比, 载流子浓度降低, 同时, 饱和磁化强度和矫顽力有很大提高, 可见, N的掺入改变了Co掺杂ZnO稀磁半导体薄膜的导电类型, 并增强了磁性.
关键词:
PLD
,
Co-N co-doping
,
ZnO thin films
王雪涛
,
关庆丰
,
顾倩倩
,
彭冬晋
,
李艳
,
陈波
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.01313
为了研究超快变形诱发的非金属材料的微观结构状态,利用强流脉冲电子束(HCPEB)技术对单晶硅进行了辐照处理,并用透射电镜对电子束诱发的表层微观结构进行了分析.实验结果表明,HCPEB辐照后单晶Si表层形成了丰富的缺陷结构,互相平行的螺何错和外禀层错是辐照后最为典型的缺陷结构;同时HCPEB辐照还诱发了密度很高的包括位错圈和SFT在内空位簇缺陷,幅值极大和应变速率极高的表面应力导致的{111}面整体位移可能是大量空位簇缺陷形成的根本原因.此外,HCPEB处理可在单晶Si表面形成纳米和非品混合结构.
关键词:
强流脉冲电子束
,
单晶硅
,
结构缺陷
,
空位簇
王雪涛
,
朱丽萍
,
叶志高
,
叶志镇
,
赵炳辉
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00711
采用脉冲激光沉积(PLD)法通过电离活化方式在石英和Si(100)衬底上制备了Co-N共掺ZnO薄膜,研究了N掺杂对Co-ZnO薄膜电学和磁学性能的影响.实验观察到700℃、N2O压强为15Pa时生长的Co-N共掺ZnO薄膜显示室温磁滞回线.采用XRD、SEM、XPS、霍尔测试和SQUID等手段对样品进行了测试,结果表明,所得薄膜样品具有高度的c轴择优取向,XRD图谱中并没有发现Co、N的相关分相,Co、N原子分别以替代位形式Cozn、No存在于薄膜中.霍尔测试和SQUID测试表明,Co-N共掺ZnO薄膜旱P型,具有室温磁滞效应.与Co掺杂ZnO薄膜相比,载流子浓度降低,同时,饱和磁化强度和矫顽力有很大提高,可见,N的掺入改变了Co掺杂ZnO稀磁半导体薄膜的导电类型,并增强了磁性.
关键词:
PLD
,
Co-N共掺
,
ZnO薄膜
,
磁性
