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直流电沉积法制备单晶Ag纳米棒阵列

赵建坡 , 田宝丽 , 万绍明 , 杜祖亮

功能材料

在较低温条件下,采用直流电沉积法在AAO模板中成功制备出了大面积生长均匀的单晶Ag蚋米棒阵列.利用扫描电子显微镜(SEM),能谱仪(EDS),透射电子显微镜(TEM),选区电子衍射(SAED)和XRD等分析手段对样品进行形貌表征及成分分析.结果表明,阵列中的Ag纳米棒尺寸均匀,保持着良好的平行度,直径接近200nm,与AAO模板的孔径大小相当,且可以通过控制沉积时间来实现对Ag纳米棒长度的控制.

关键词: 电化学沉积 , 单晶Ag纳米棒阵列 , AAO模板

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