田晶泽
,
夏立芳
,
马欣新
,
孙跃
,
孙明仁
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2000.02.004
用电子束蒸发纯硼,在硅片上沉积不同厚度的硼膜,然后用等离子体基离子注入(PBⅡ)技术在硼膜上注入氮以形成氮化硼(BN).用XPS分析膜的成分深度分布及化学价态;用傅里叶变换红外(FTIR)透射谱分析膜的结构.氮在膜中呈类似高斯分布,随着注入电压增大, 膜的N/B比增大且影响氮在膜中的分布,在较高的注...
关键词:
等离子体基离子注入
,
氮化硼
,
傅里叶变换红外谱
