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SiC产业多联产关键技术及其应用与Matrix区域的变化

强军锋 , 王晓刚 , 杨金成 , 田欣伟 , 邓军平 , 樊子民 , 任建勋 , 彭龙贵 , 余竹焕

材料科学与工艺

针对我国SiC产业的技术现状和面临的形势,提出用多热源生产SiC新技术生产高性能SiC新材料,回收并利用其副产品CO为主的气体生产多种化工产品或发电,走资源综合利用的煤-SiC新材料-CO气-化工产品(电)多联产之路,彻底改变行业落后现状,实现可持续发展.

关键词: 碳化硅 , 多联产 , 一氧化碳 , 新技术 , 新材料 , 可持续发展

内热式金属镁冶炼真空炉温度机理研究

邓军平 , 沈晶鑫 , 王晓刚 , 任建勋 , 田欣伟 , 樊子民 , 强军峰

材料导报

对新型内热式金属镁冶炼真空炉炉内温度机理进行了研究,采用迦辽金法和环形区域矩形化等方法,推导得出内热式真空炉的温度分布方程,从理论上给出了真空冶炼炉内温度传递的影响因素.并指出采用迦辽金法和有限差分法可以求解温度矩阵,可以得出各个时刻的温度场.

关键词: 内热式金属镁冶炼真空炉 , 迦辽金 , 有限差分 , 温度场

电致发热SiC多孔陶瓷制备研究

樊子民 , 王晓刚 , 任建勋 , 张军锋 , 田欣伟

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2005.06.031

采用一种新方法制备了具有2种孔隙结构的电致发热SiC多孔陶瓷.根据SEM,X射线分析,气孔率与电阻率等测试结果可知,试样主孔道直径在300μn左右,微孔道直径在30~40μm,气孔率可达55%,电阻率在0.0007~0.00195Ω·m.研究了烧结温度和烧结时间与电阻率的关系,并根据机械性能的测试结果,探讨了试样的强度与烧结温度的关系.

关键词: 电致发热 , 碳化硅 , 多孔陶瓷 , 电阻率

β-SiC微粉中杂质碳的去除工艺研究

田欣伟 , 邓丽荣 , 陆树河 , 王晓刚 , 于庆芬

硅酸盐通报

借助激光粒度仪、综合热分析仪、X射线衍射仪和化学分析手段,研究了无限微热源法合成的β-SiC微粉中杂质碳的粒度组成和氧化特性,以及主成分β-SiC的氧化特性,得到了空气氧化法去除β-SiC微粉中杂质碳的最佳工艺条件为:氧化温度800~900 ℃,氧化持续时间为1 h.

关键词: β-SiC微粉 , 杂质碳 , 氧化特性

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