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部分耗尽SOI MOSFET总剂量辐射效应的最恶劣偏置状态

俞文杰 , 张正选 , 张恩霞 , 钱聪 , 贺威 , 田浩 , 陈明 , 王茹

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.06.008

通过实验研究了部分耗尽SOI NMOSFET总剂量辐射效应与辐射时的偏置状态的关系,实验结果表明TG(Transition Gate)是最恶劣的偏置状态.随后分别用MEDICI模拟软件和数值模型模拟掩埋氧化层中的电场强度与空穴俘获率.模拟结果合理地解释了实验结果,掩埋氧化层中的高电场和高空穴俘获率是TG为最恶劣偏置状态的主要原因.

关键词: SOI , 总剂量辐射 , 背沟道 , 掩埋氧化层

GIS用环氧浇注材料的介电松弛特性研究

尹桂来 , 李建英 , 唐壮 , 李欣 , 上官帖 , 晏年平 , 田浩 , 郝留成

绝缘材料

为研究GIS用环氧浇注绝缘件试样在不同温度下的介电松弛特性,采用差示扫描量热(DSC)、宽频介电谱(BDS)以及热刺激电流(TSC)分别测试了试样的玻璃化转变温度(Tg)、介电松弛和陷阱分布。结果表明:升温速率为20℃/min时,环氧试样的玻璃化转变温度为118.08℃;环氧试样在不同的温度区间存在3个松弛过程,分别对应着环氧材料本征β松驰、α松弛及载流子在高温下的脱陷过程;TSC高温区域陷阱的活化能为1.5 eV,与介电谱图中150℃出现的损耗峰活化能1.28 eV接近,为载流子入陷与脱陷所致。介电温谱的试验结果反映了介电常数和介质损耗随温度的变化关系,与宽频介电谱试验和TSC试验结果相对应。通过研究环氧浇注件松弛极化过程及陷阱分布,为提高传统环氧树脂复合材料的电气性能提供技术支持。

关键词: 环氧 , 玻璃化转变 , 松弛 , 活化能

GIS用氧化铝改性环氧浇注材料的热学与力学性能研究

尹桂来 , 李建英 , 王诗航 , 上官帖 , 晏年平 , 田浩 , 郝留成

绝缘材料

以双酚A型固态和液态环氧树脂按比例得到混合树脂,用微米级α-Al2O3改性制得GIS用氧化铝改性环氧浇注材料,并对其进行热学与力学性能研究。结果表明:环氧浇注材料随着升温速度的增大,玻璃化转变温度上升,常温下拉伸速度为10 mm/min时,试样的拉伸强度和弯曲强度分别为70.6 MPa和95.8 MPa,储能模量达到14263.1 MPa;在25~100℃,试样的拉伸强度、弯曲强度和冲击强度较稳定,冲击断面起伏大,为脆性断裂。当温度高于Tg时,试样的冲击强度显著增大,呈塑性断裂,断面较平整,材料的储能模量与损耗模量下降了2个数量级。

关键词: 环氧浇注材料 , 氧化铝 , 拉伸强度 , 玻璃化转变 , 储能模量

混料方式对聚四氟乙烯灭弧喷口性能的影响研究

袁端鹏 , 林生军 , 郝留成 , 田浩 , 罗军

绝缘材料

高压断路器用灭弧喷口材料由聚四氟乙烯和无机填料组成,混料工艺是喷口成型技术中比较关键的一步。选用传统V型混料和三维混料两种方式进行混料和成型试验,研究混料方式对聚四氟乙烯灭弧喷口性能的影响。结果表明:三维混料提高了物料的混合频率,改善了混合均匀度,提升了喷口材料的综合性能。

关键词: 灭弧喷口 , 混料方式 , 三维混料 , 混合均匀度

TC4合金表面激光熔覆B4C及B4C+Ti粉末涂层的微观组织

田浩 , 耿林 , 倪丁瑞 , 孟庆武

稀有金属材料与工程

利用XRD,SEM和EDS分析手段对B4C和B4C+10%Ti(质量分数,下同)激光熔覆层的微观组织进行了分析.结果表明,TC4合金表面B4C与B4C+10%Ti激光熔覆层的组成相基本相同,均由TiC1-x,TiB,TiB2和Ti相组成,说明在TC4合金表面熔覆过程中有一部分Ti进入熔覆层并与B4C发生化学反应原位生成了TiB,TiB2和TiC1-x相.TiC1-x相以树枝状相形式存在,TiB2相以粗大须状相形式存在,TiB相以细小须状相形式存在.熔覆层与基底结合良好,没有发现裂纹与孔洞.基底热影响区呈淬火组织形貌,为典型的针状马氏体组织特征.与B4C激光熔覆层相比,B4C+10%Ti激光熔覆层的组织细小,TiB相含量增多,TiB2相含量减少.

关键词: 钛合金 , 激光熔覆 , 原位自生 , B4C

氧气对磁控溅射HfO2薄膜电学性能的影响

刘文婷 , 刘正堂 , 闫锋 , 田浩 , 刘其军

硅酸盐通报

采用射频磁控溅射法在无氧和有氧气氛下制备了HfO2薄膜.通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、傅立叶变换红外光谱(FTIR)、椭圆偏振光谱(SE)以及电容-电压(C-V)测试对薄膜的结构、成分、HfO2/Si界面和HfO2栅介质MOS结构的电学性能等进行了分析表证.结果表明,溅射过程中通入氧气后,薄膜出现了较明显的结晶化;薄膜的氧化程度得到提高,成分更接近理想化学计量比HfO2.在HfO2/Si界面处存在的SiO2界面层,有氧条件下界面层的厚度增大.氧气的通入改善了HfO2栅介质MOS结构的电学性能.

关键词: 射频磁控溅射 , HfO2薄膜 , 界面层 , 电学性能

特高压盆式绝缘子工艺技术研究

郝留成 , 杨保利 , 田浩 , 李继承

绝缘材料

为满足特高压开关设备对于盆式绝缘子电气性能和力学性能的特殊要求,在常规浇注配方的基础上通过添加一定比例的脂环族环氧树脂,同时采用三段固化工艺制造高性能盆式绝缘子,并对其性能进行测试分析。结果表明:与常规配方材料相比,新配方的盆式绝缘子电气强度提高了27.6%,热变形温度提高了20.2%,热电老化寿命达到40年以上。高性能盆式绝缘子通过全部工频和雷电冲击裕度试验,水压破坏强度达到4.6 MPa。

关键词: 特高压 , 盆式绝缘子 , 环氧树脂 , 电气性能 , 力学性能

退火对栅介质SrHfON薄膜性能的影响

刘璐 , 刘正堂 , 冯丽萍 , 田浩 , 刘其军 , 王雪梅

稀有金属材料与工程

采用射频磁控溅射法在Si衬底上制备新型栅介质SrHfON薄膜.采用X射线衍射(XRD)仪、高分辨透射电镜(HRTEM)和X射线光电子谱(XPS)分析退火对SrHfON薄膜的界面形态、薄膜的结构和电学性能的影响.结果表明,SrHfON薄膜经900℃退火后仍保持非晶态,表现出良好的热稳定性.SrHfON薄膜与Si衬底的界面主要由HfSixOy和SiO2组成.以SrHfON薄膜为栅介质的MOS电容结构具有较小的漏电流密度,并且漏电流密度随着退火温度的升高而减小.在外加偏压(Vg)为+1V时样品在沉积态和900℃退火后的漏电流密度分别为4.3× 10-6和1.2×10-7A/cm2.研究表明,SrHfON薄膜是一种很有希望替代SiO2的新型栅介质材料.

关键词: 栅介质 , SrHfON薄膜 , 射频磁控溅射

GIS绝缘件用高性能环氧浇注材料的研究

田浩 , 郝留成 , 刘随军 , 袁端鹏 , 王海军 , 南传兴

绝缘材料

通过研究不同的环氧树脂及酸酐类固化剂体系对材料性能的影响,开发出新型固态环氧树脂与改性液态酸酐固化剂,并对其热性能及力学性能进行了研究。结果表明:该新型环氧浇注材料的玻璃化转变温度达到145℃,拉伸强度达到85 MPa,且随温度变化显示出稳定的特性,断裂韧性高达2.17 MN/mm3/2,具有长期的耐静载荷能力,115℃高温蠕变试验外推其30年后的高温断裂强度仍然超过20 MPa。

关键词: 环氧树脂 , 浇注配方 , 高耐热 , 高韧性

湿法刻蚀机腔室关键结构及主要工艺参数对刻蚀性能的影响因素研究

杨为 , 向东 , 杜飞 , 王伟 , 田浩

人工晶体学报

以某18英寸湿法刻蚀机腔室为研究对象,建立了流-热耦合的数值分析模型,研究了刻蚀过程中工艺气体在圆筒式腔室内流速、压强、温度的分布规律,结合HF酸在乙醇环境下刻蚀SiO2的工艺原理,提出了由耗散系数、物质转换系数、物质量通量、品格结构等表征的刻蚀速率及刻蚀不均匀性评价方法,得到了腔室关键结构及主要工艺的参数对刻蚀性能的影响规律.

关键词: 刻蚀机 , 腔室结构 , 流-热耦合模型 , 刻蚀均匀性 , 刻蚀速率

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