田珊珊
,
魏志鹏
,
赵海峰
,
高娴
,
方铉
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唐吉龙
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楚学影
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方芳
,
李金华
材料导报
利用原子层沉积法(ALD)在硫钝化后的n型InP表面沉积Al2 O3薄膜进行二次钝化处理.通过光致发光(PL)测试和原子力显微镜(AFM)测试对样品的光学性质及表面形貌进行表征.硫钝化能够有效降低样品的表面态密度及无辐射复合几率,因此样品PL发光强度得到了极大提高.而样品表面的Al2 O3可防止钝化层被氧化,尽管相对于沉积Al2 O3薄膜前样品的光致发光强度有所降低,但样品的稳定性得到了改善,因此可进一步提高样品的发光性能.
关键词:
InP
,
光致发光
,
硫钝化
,
表面态密度
,
Al2O3薄膜
