马兴法
,
胡萌
,
李光
,
汪芒
,
陈红征
,
谢富霞
,
孔义
,
孙志勇
,
孙景志
,
施敏敏
,
白茹
,
程玉南
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.05.003
在叉指碳电极上采用原位制备的方法构筑了聚吡咯复合薄膜气敏传感器,对其在三甲基胺气氛中的电响应性能进行了研究.结果表明,对5.14×10-7mol/mL的三甲基胺,其敏感性可达3～6个数量级的变化, 远高于同等实验条件下酞菁、卟啉等及其氟代衍生物的气敏性.该薄膜传感器具有好的重现性和选择性,在室温下可用氮气完全恢复.
关键词:
聚吡咯复合薄膜
,
原位聚合
,
气敏性
,
快速响应
白茹
,
钱正洪
,
李健平
,
孙宇澄
,
朱华辰
,
李领伟
,
李源
,
霍德璇
,
彭英姿
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2013.12666
反铁磁钉扎层和铁磁被钉扎层之间的交换耦合作用是高性能自旋阀材料研究中的一个关键因素.本工作研究了CrPtMn顶钉扎自旋阀材料中的交换耦合场(Hex)与薄膜沉积条件以及退火处理之间的关系.研究表明:沉积后的自旋阀材料中的Hex大小与CrPtMn钉扎层的溅射工作气压关系不大,Hex约为7.96×103 A/m.然而,经过240℃退火2h处理后,Hex呈现出与CrPtMn沉积时的溅射工作气压相关的特性,随着溅射工作气压的增加而增大.材料退火后的交换耦合场Hex的温度特性良好,室温下约为2.39×104 A/m.Hex随着测试温度的升高而逐渐减小,交换耦合场消失时的失效温度(blocking temperature)为315℃.
关键词:
交换耦合作用
,
自旋阀
,
沉积气压
,
测试温度
许华兵
,
陈红征
,
白茹
,
张孝彬
,
汪茫
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2005.06.011
采用氨基稀土酞菁与纯化的竹节状碳纳米管发生酰胺反应的方法制备了稀土酞菁化学修饰的碳纳米管,并采用红外吸收光谱和热分析方法对产物的化学结构进行了表征,证明了复合体系中酰胺反应的发生.紫外可见光谱分析表明稀土酞菁与碳纳米管间存在强烈的电子相互作用.通过透射电镜观察化学修饰后的碳纳米管的形貌特征时,发现稀土酞菁大多呈竹节状分布在碳管壁上,其原因是由于竹节状碳管的结构特征和化学修饰的选择性造成的.
关键词:
碳纳米管
,
化学修饰
,
稀土酞菁
,
复合
欧阳密
,
白茹
,
陈擎
,
汪茫
,
陈红征
功能材料
通过电化学阳极氧化法在Ti片上制备了氧化钛(TiO2)纳米管阵列.用这种高度有序的阵列结构作为模板,利用电泳沉积的方法在模板表面沉积了一种有机半导体材料酞菁铜(CuPc),从而得到了CuPc/TiO2有机/无机纳米复合结构.通过场发射扫描电镜(FESEM),透射电镜(TEM)等手段对这种复合结构的表面形貌及结构进行了表征.能谱数据证实了复合结构中有机物的存在.此外,CuPc薄膜的形貌和结构可以通过改变电泳沉积参数(如沉积时间和电压)进行调控,从而得到相应的纳米晶、纳米线和微米线薄膜.用该复合薄膜作为载流子发生层制备的双层光导体的光导性能测试结果表明,与复合前的氧化钛薄膜相比,该复合薄膜的光敏性有明显的提高.
关键词:
纳米管阵列
,
电沉积
,
纳米复合
,
光导性能
白茹
,
蔡钢
,
张晓敏
,
陈文骐
,
蒋渝
材料研究学报
doi:10.11901/1005.3093.2015.403
2011年四川西昌地区月普一回线在覆冰气象条件下发生断线事故.基于现场调查资料,LGJ-630/45钢芯铝绞线截面上的12根铝线为平齐的脆断断口,其余均为典型韧断断口.本文基于有限元法的ANSYS计算平台,从悬垂线和大挠度弯曲梁单元模型的静力学角度及梁单元模型的动力学角度分析了断线原因.研究表明:事故现场采集的脆性平断断口系疲劳所致,导线先因疲劳产生低应力脆断平断口,引起有效截面减小,继而发生应力过载断裂,产生杯锥状韧性断口.事故发生原因为覆冰及脉动风使导线运行应力由55.4 MPa增至97.9 MPa.在脉动风作用下,导线发生一阶共振,促使非对称疲劳的疲劳载荷应力均值增大,大大降低了导线的疲劳寿命,部分铝线发生断股,引起导线有效截面减小,使其运行应力超过导线破坏应力,最终导致导线过载韧断.
关键词:
材料失效与保护
,
导线断线
,
低应力脆断
,
过载韧断
,
非对称疲劳
,
疲劳寿命
李健平
,
钱正洪
,
孙宇澄
,
白茹
,
刘建林
,
朱建国
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2014.13327
用磁控溅射法制备了被钉扎层为反铁磁(SAF)结构(CoFe/Ru/CoFe)的IrMn基顶钉扎自旋阀材料,分别采用HRTEM、AFM、XPS对材料的结构和成分进行表征.首先,制备的自旋阀材料分别在200℃、245℃、255℃、265℃的真空条件(＜10-5Pa)下退火4h,发现经265℃退火,自旋阀材料会发生明显的层间扩散,从而引起磁电阻率的降低.在选择合适退火温度(245℃)的基础上,研究了退火磁场对自旋阀材料磁电阻率的影响.在245℃的真空环境下,沿着材料的钉扎方向分别施加大小为80、160、240、400、560 kA/m的磁场退火4h.实验发现经过80和160 kA/m的磁场退火后,材料的磁电阻率由退火前的8.80％分别下降到5.87％和6.31％;经240 kA/m的磁场退火后材料的磁电阻率变为7.91％;经400 kA/m的磁场退火后磁电阻率增大到9.89％;经560 kA/m的磁场退火后磁电阻率进一步增大到10.79％,比退火前增加了22.6％.
关键词:
SAF
,
自旋阀
,
磁场退火
