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具有渐变层半导体DBR的MOCVD外延制备

盖红星 , 邓军 , 廉鹏 , 俞波 , 李建军 , 韩军 , 陈建新 , 沈光地

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.03.009

应用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)制备了具有渐变层的半导体布拉格反射镜(DBR),分别是抛物线性、线性和突变结构的DBR.三种反射镜结构都设计为8个周期,通过白光反射谱测量突变DBR具有最大反射率.应用原子力显微镜对所制备的DBR表面形貌进行分析.结果表明,相同周期数情况下线性渐变DBR相对于其他两种结构粗糙度最小,具有良好的表面形貌,可以应用于垂直腔面发射激光器的研制.

关键词: 布拉格反射镜 , 金属有机化合物气相淀积 , 原子力显微镜 , AlGaAs

应变InGaAs/GaAs量子阱MOCVD生长优化及其在980 nm半导体激光器中的应用

俞波 , 盖红星 , 韩军 , 邓军 , 邢艳辉 , 李建军 , 廉鹏 , 邹德恕 , 沈光地

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.01.015

使用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs 980 nm量子阱.研究了生长温度、生长速度对量子阱光致发光谱(PL)的影响.并将优化后的量子阱生长条件应用于980 nm半导体激光器的研制中,获得了直流工作下,阈值电流为19 mA,未镀膜斜率效率为0.6 W/A,输出功率在100 mW的器件.

关键词: 光电子学 , 半导体激光器 , 应变量子阱 , 金属有机化学气相淀积

AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱增益特性研究

盖红星 , 李建军 , 韩军 , 邢艳辉 , 邓军 , 俞波 , 沈光地 , 陈建新

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.01.016

采用Shu Lien Chuang方法计算了AlInGaAs/AlGaAs应变引起价带中重、轻空穴能量变化曲线,在Harrison模型的基础上详细地计算了AlInGaAs/AlGaAs和GaAs/AlGaAs量子阱电子、空穴子能级分布并且进一步研究了这两种材料在不同注入条件下的线性光增益.进一步计算比较可以得出AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱光增益特性要优于GaAs/AlGaAs非应变量子阱增益特性,因此AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱半导体材料应用于半导体激光器比传统GaAs/AlGaAs材料更具优势.

关键词: 光电子学 , 应变量子阱 , 光增益 , AlInGaAs , 半导体激光器

C掺杂GaAs外延层光学特性分析

邢艳辉 , 李建军 , 邓军 , 韩军 , 盖红星 , 沈光地

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2006.02.019

对利用EMCORE D125 MOCVD系统生长的以CCl4为掺杂源,分析不同C掺杂浓度的GaAs外延层光学特性.通过PL、DC XRD测试手段研究了掺C GaAs层,随C掺杂浓度增加,禁带宽度收缩,PL谱峰值半宽增大,晶格常数减小.

关键词: 光电子学 , GaAs掺杂 , 光荧光谱 , X射线衍射

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