崔云先
,
郭立明
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盛晓幸
,
丁万昱
,
安阳
,
赵家慧
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.07.029
制备绝缘性能良好的 Al2 O 3薄膜是研制薄膜热电偶瞬态温度传感器的关键技术之一.针对直流脉冲磁控溅射制备的 Al2 O 3绝缘薄膜总是存在针孔等缺陷，提出了利用直流脉冲磁控溅射加射频偏压技术成功制备了薄膜热电偶瞬态温度测试传感器的Al2 O 3绝缘薄膜.通过台阶仪、高阻计、扫描电子显微镜和划痕试验仪对 Al2 O 3绝缘膜的成膜厚度、绝缘性、表面形貌及膜基结合力进行了观测，结果表明，制备的 Al2 O 3绝缘膜厚度可达2．4μm；其绝缘性可达2．6×109Ω；薄膜表面光滑，成膜均匀；Al ∶ O 原子比近似为2∶3；与金属基体的结合力可达12 N.提供了一种制备高致密、高绝缘性能 Al2 O 3薄膜的简单有效的方法，为制备瞬态温度传感器提供了技术保障.
关键词:
Al2O3绝缘膜
,
薄膜热电偶
,
性能表征
,
射频偏压
