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金属镍诱导p型多晶硅薄膜的光电性能研究

黄园媛 , 石培培 , 牛巧利 , 章勇

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.04.003

利用电子束蒸镀方法及重掺杂p型硅为蒸发源在K8玻璃衬底上沉积非晶硅薄膜,采用镍诱导晶化法在氮气氛围下进行退火处理制备出p型多晶硅薄膜.研究了不同温度热处理条件对p型多晶硅薄膜的光电性能的影响,通过霍尔测量、拉曼光谱、原子力显微镜、紫外-可见光吸收光谱等测试手段对薄膜进行分析.结果表明,随着晶化温度的提高晶化程度先增强后减弱.优化晶化温度使30 nm厚p型多晶硅薄膜的方块电阻达到300Ω/□,在可见光范围的透射率超过10％.

关键词: 金属诱导晶化 , p型多晶硅薄膜 , 非晶硅薄膜

基于双蓝光有源区激发YAG:Ce荧光粉的高显色性白光LED

石培培 , 严启荣 , 李述体 , 章勇

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2012.03.014

在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,分别生长含有p- AlGaN电子阻挡层和反对称n - AlGaN层的双蓝光波长发射的InGaN/GaN混合多量子阱发光二极管(LED).结果发现,与传统的具有p-AlGaN电子阻挡层的双蓝光波长LED相比,这种n- AlGaN层能有效改善电子和空穴在混合多量子阱活性层中的分布均匀性和减少电子溢出,并减弱双蓝光发射光谱对电流的依赖性.此外,基于这种双蓝光波长发射的芯片与YAG:Ce荧光粉封装成白光LED能实现高显色性的白光发射,在20 mA电流驱动下,6500 K色温时显色指数达到91,而基于单蓝光芯片的白光LED显色指数只有75.

关键词: n-AlGaN , p-AlGaN , 混合量子阱 , 双蓝光波长 , 显色指数

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