石富文
,
孟祥键
,
王根水
,
林铁
,
李亚巍
,
马建华
,
孙兰
,
褚君浩
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.02.018
采用Sol-gel方法在生长有LNO3的Si(100)衬底上制备了掺Mn的PbZr0.5Ti0.5O3铁电薄膜(PMZT).PMZT薄膜具有优良的铁电性.在外加电场下观察到了非对称剩余极化翻转行为.这种剩余极化的翻转不对称随着锰掺杂浓度的增加而变大,从而表明极化过程中产生的内建偏压电场是由Mn的掺杂...
关键词:
铁电薄膜
,
剩余极化
,
介电特性
王根水
,
石富文
,
孙璟兰
,
孟祥建
,
戴宁
,
褚君浩
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.004
采用化学溶液法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了PbZr0.4Ti0.6O3/LaNiO3(PZT/LNO)多层薄膜.X射线衍射测量表明LNO缓冲层的引入使PZT薄膜(111)择优取向度减小,(100)取向增加.原子力显微镜测量表明引入LNO缓冲层使得PZT薄膜表面更加平整、致密.在LNO缓冲...
关键词:
LaNiO3
,
PbZr0.4Ti0.6O3
,
铁电薄膜
,
剩余极化
,
介电特性
