材料期刊网

氧对磁控溅射制备InN薄膜带隙的影响

石相军 , 汪健 , 朱洁 , 侯祥胡

功能材料与器件学报

本文用射频磁控溅射技术,以金属铟为靶材,在石英玻璃上制备出了InN薄膜,溅射气体为氩气(Ar)和氮气(Nz)的混合气体,溅射压强为0.5Pa～1.0Pa.InN晶体呈六方纤锌矿结构,随着压强的不同,晶体取向发生明显的变化,制得的InN薄膜的带隙为2.1eV ～2.3eV.X射线光电子能谱(XPS)和...

关键词: 射频磁控溅射 , InN , 带隙 , In2O3