石礼伟
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李玉国
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王强
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薛成山
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庄惠照
稀有金属材料与工程
采用二氧化硅/碳化硅复合靶,用射频磁控共溅射技术和后高温退火的方法在Si(111)衬底上制备了碳化硅纳米颗粒/二氧化硅基质(nc-SiC/SiO2)镶嵌结构薄膜材料,用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)实验分析了薄膜的微结构以及光致发光特性.结果表明:样品薄膜经高温退火后,部分无定形SiC发生晶化,形成β-SiC纳米颗粒而较均匀地镶嵌在SiO2基质中.以280nm波长光激发薄膜表面,有较强的365 nm的紫外光发射以及458 nm和490 nm处的蓝光发射,其发光强度随退火温度的升高显著增强,发光归结为薄膜中与Si-O相关的缺陷形成的发光中心.
关键词:
磁控共溅射
,
SiC纳米颗粒
,
微观结构
,
光致发光
裴素华
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孙海波
,
王强
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孙振翠
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石礼伟
无机材料学报
TiO2是响应三甲胺(TMA)气体最佳的金属氧化物半导体材料,为保持TiO2基TMA旁热式气敏器件具有较高灵敏度和较低空气阻值(Ra),相应降低器件加热功率RH,本文通过N2气氛高温退火、高价Nb5+掺杂和长时间烧结等方法,提高TiO2基敏感材料电导率获得成功。实验与理论证明:降低氧分压可增强TiO2自身半导化程度;掺入10%左右Nb2O5,Nb5+替代Ti4+形成固溶体,可使TiO2得到最佳半导化效果;采用长时间的烧结处理,促使Ti3+转化为Ti4+,进一步提高材料电导率和器件稳定性,从而为制造低阻、高灵敏度、高选择性动物食品测鲜传感器开辟了一条新途径。
关键词:
TiO2
,
annealing in N2
,
doping with Nb5+
,
long-time sintering
王强
,
李玉国
,
石礼伟
,
薛成山
稀有金属材料与工程
外延硅经过碳注入、氢气氛下高温退火和电化学腐蚀相继处理之后,发出位于431 nm左右的蓝色荧光峰.随电化学腐蚀条件的增强,蓝色荧光峰先变强后消失,并出现位于716 nm处的红光峰.样品中随碳注入而注入的杂质C=O复合体镶嵌在退火过程所形成的纳米硅颗粒的表面,形成典型的纳米硅镶嵌结构.正是这种结构导致了蓝光发射.
关键词:
碳注入
,
氢退火
,
电化学腐蚀
,
纳米硅镶嵌结构
裴素华
,
孙海波
,
王强
,
孙振翠
,
石礼伟
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.04.041
TiO2是响应三甲胺(TMA)气体最佳的金属氧化物半导体材料,为保持TiO2基TMA旁热式气敏器件具有较高灵敏度和较低空气阻值(Ra),相应降低器件加热功率PH,本文通过N2气氛高温退火、高价Nb5+掺杂和长时间烧结等方法,提高TiO2基敏感材料电导率获得成功.实验与理论证明:降低氧分压可增强TiO2自身半导化程度;掺入10%左右Nb2O5,Nb5+替代Ti4+形成固溶体,可使TiO2得到最佳半导化效果;采用长时间的烧结处理,促使Ti3+转化为Ti4+,进一步提高材料电导率和器件稳定性,从而为制造低阻、高灵敏度、高选择性动物食品测鲜传感器开辟了一条新途径.
关键词:
TiO2
,
N2退火
,
Nb5+掺杂
,
长时效烧结
吴玲
,
宗仙俊
,
石礼伟
,
张伦
稀有金属材料与工程
采用传统固溶反应法制备了(KxNa1-x)1-yLiyNbo.80Tao.20O3 (x=0.40~0.60;y=0.03,0.035,0.04)系列无铅压电陶瓷,研究了其压电性能的温度稳定性.实验得出在研究的组分范围内,陶瓷的压电常数d33可达到250 pC/N,kp到达50%.在高达约325℃的老化试验中发现,尽管在室温下存在多型相变的影响,但陶瓷的d33和kp值几乎一直保持不变.而且,陶瓷的kp值在-50℃到120℃的宽温度范围内几乎不受温度影响,显示了很好的温度稳定性.另外还从两相共存的温度范围对陶瓷的热稳定性能进行了讨论.
关键词:
无铅陶瓷
,
压电性能
,
K/Na比例
,
温度稳定性