石礼伟
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李玉国
,
王强
,
薛成山
,
庄惠照
稀有金属材料与工程
采用二氧化硅/碳化硅复合靶,用射频磁控共溅射技术和后高温退火的方法在Si(111)衬底上制备了碳化硅纳米颗粒/二氧化硅基质(nc-SiC/SiO2)镶嵌结构薄膜材料,用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)实验分析了薄膜的微结构以及光致发光特性....
关键词:
磁控共溅射
,
SiC纳米颗粒
,
微观结构
,
光致发光
裴素华
,
孙海波
,
王强
,
孙振翠
,
石礼伟
无机材料学报
TiO2是响应三甲胺(TMA)气体最佳的金属氧化物半导体材料,为保持TiO2基TMA旁热式气敏器件具有较高灵敏度和较低空气阻值(Ra),相应降低器件加热功率RH,本文通过N2气氛高温退火、高价N...
关键词:
TiO2
,
annealing in N2
,
doping with Nb5+
,
long-time sintering
王强
,
李玉国
,
石礼伟
,
薛成山
稀有金属材料与工程
外延硅经过碳注入、氢气氛下高温退火和电化学腐蚀相继处理之后,发出位于431 nm左右的蓝色荧光峰.随电化学腐蚀条件的增强,蓝色荧光峰先变强后消失,并出现位于716 nm处的红光峰.样品中随碳注入而注入的杂质C=O复合体镶嵌在退火过程所形成的纳米硅颗粒的表面,形成典型的纳米硅镶嵌结构.正是这种结构导致...
关键词:
碳注入
,
氢退火
,
电化学腐蚀
,
纳米硅镶嵌结构
裴素华
,
孙海波
,
王强
,
孙振翠
,
石礼伟
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.04.041
TiO2是响应三甲胺(TMA)气体最佳的金属氧化物半导体材料,为保持TiO2基TMA旁热式气敏器件具有较高灵敏度和较低空气阻值(Ra),相应降低器件加热功率PH,本文通过N2气氛高温退火、高价Nb5+掺杂和长时间烧结等方法,提高TiO2基敏感材料电导率获得成功.实验与理论证明:降低氧分压可增强TiO...
关键词:
TiO2
,
N2退火
,
Nb5+掺杂
,
长时效烧结
吴玲
,
宗仙俊
,
石礼伟
,
张伦
稀有金属材料与工程
采用传统固溶反应法制备了(KxNa1-x)1-yLiyNbo.80Tao.20O3 (x=0.40～0.60;y=0.03,0.035,0.04)系列无铅压电陶瓷,研究了其压电性能的温度稳定性.实验得出在研究的组分范围内,陶瓷的压电常数d33可达到250 pC/N,kp到达50％.在高达约325℃的...
关键词:
无铅陶瓷
,
压电性能
,
K/Na比例
,
温度稳定性
