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利用磁控溅射法,在K9玻璃基底上沉积氧化镍(NiO)薄膜.采用不同温度时氧化镍薄膜进行氮气退火,使用UV1700型分光光度计、JSM-6490LV型扫描电子显微镜、四探针电阻计等分析退火后氧化镍薄膜性能的变化.实验结果表明,500℃退火范围内,氧化镍薄膜的透过率随退火温度的升高明显增加,400℃时透...

关键词: 磁控溅射 , NiO薄膜 , 氮气退火

p-Si TFT栅绝缘层用SiNx薄膜界面特性的研究

张化福 , 袁玉珍 , 臧永丽 , 祁康成

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.01.008

以NH3和SiH4为反应源气体,在低温下采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在多晶硅(p-Si)衬底上沉积了SiNx薄膜.系统地分析讨论了沉积温度、射频功率、反应源气体流量比对SiNx薄膜界面特性的影响.分析表明,沉积温度和射频功率主要是通过影响SiNx薄膜中的si/N比和H含量影...

关键词: TFT , SiN , 薄膜 , 界面特性

静电自会聚六硼化镧电子枪的研究

林祖伦 , 王小菊 , 祁康成 , 曹贵川 , 于海波

原子核物理评论 doi:10.11804/NuclPhysRev.32.S1.38

设计并制作了一种用于X射线管的电子枪。以具有优异电子发射能力的六硼化镧阴极代替传统钨阴极，采用石墨热子加热的夹持式阴极结构；电子光学系统采用静电自聚焦方式，设计了具有梯形聚焦槽的单圆筒电极聚焦结构，避免了聚焦电极的引出；完成了阴极罩、阴极筒以及陶瓷芯柱等阴极组件的设计与封接。测试结果表明，当六硼化镧...

关键词: X射线管 , 电子枪 , LaB6热阴极 , 发射性能 , 热发射电流

X射线源的静电自会聚电子枪的计算机模拟

于海波 , 林祖伦 , 祁康成 , 曹贵川 , 王小菊

原子核物理评论 doi:10.11804/NuclPhysRev.32.S1.43

高功率、大电流密度、细聚焦X射线源在工业无损探伤、医学成像、安全技术等领域具有广泛的应用。本文设计了一种用于X射线管的静电自会聚电子枪，该电子枪包括三部分：LaB6热阴极发射体、带有矩形孔和斜槽的聚焦极、阳极。采用EBS粒子束模拟软件对该电子枪的结构进行了模拟仿真。仿真结果表明：电子枪的聚焦能力主要...

关键词: X射线源 , 电子枪 , LaB6热阴极 , 电子束斑 , 电流

多晶硅薄膜的工艺研究

王军 , 祁康成 , 成建波

材料热处理学报 doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2004.04.002

研究了制备性能优良非晶硅薄膜的工艺参数,对薄膜进行高温退火得到多晶硅薄膜.用X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)观察薄膜的结晶情况以及晶粒的大小.结果表明:退火温度越高,退火时间越长,得到多晶硅薄膜的比例越高,晶粒也相对较大;薄膜在(111)方向上优先结晶,晶粒大小可以达到1μm,与理论值做了...

关键词: 多晶硅 , 薄膜 , 等离子体增强化学气相沉积(PECVD) , 退火

高介电常数栅极电介质材料的研究进展

张化福 , 祁康成 , 吴健

材料导报

随着半导体技术的飞速发展,作为硅基集成电路核心器件的MOSFET的特征尺寸正以摩尔定律的速度缩小.然而,当传统栅介质层SiO2的厚度减小到原子尺寸时,由于量子隧穿效应的影响,SiO2将失去介电性能,致使器件无法正常工作.因此,必须寻找新的高介电常数材料来替代它.目前,高介电常数材料是微电子行业最热门...

关键词: 高介电常数 , 栅介质 , 等效氧化物厚度 , 退火